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Tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance des transistors de puissance d'astuce de RoHS NPN 30v
Tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance des transistors de puissance d'astuce de RoHS NPN 30v
Les spécifications
Point d'origine :
Shenzhen Chine
MOQ :
PCS 1000-2000
Détails de empaquetage :
Enfermé dans une boîte
Délai de livraison :
1 - 2 semaines
Conditions de paiement :
L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :
18,000,000PCS/par jour
Number modèle :
D882
Tension de VoltageCollector-base de collecteur-base :
40v
Tension de collecteur-émetteur :
30v
Tension d'Émetteur-base :
6V
Transistor de transistor MOSFET de puissance :
TO-126 Plastique-s'encapsulent
Matériel :
Silicium
Type :
Transistor de triode
Définition

TO-126 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors D882 (NPN)

 

 

CARACTÉRISTIQUE
 


Dissipation de puissance

 

 

 

INSCRIPTION

 

Code de D882=Device

Point solide = dispositif composé de moulage vert, si aucun, le dispositif normal XX=Code

Tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance des transistors de puissance d'astuce de RoHS NPN 30v

 

 

 

 

L'INFORMATION DE COMMANDE

Numéro de la pièce Paquet Méthode de emballage Quantité de paquet
D882 TO-126 Le volume 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 Tube 60pcs/Tube

 

 

 

 

ESTIMATIONS MAXIMUM (merci =25 Š sauf indication contraire)
 

 

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCBO Tension de collecteur-base 40 V
VCEO Tension de collecteur-émetteur 30 V
VEBO Tension d'Émetteur-base 6 V
IC Courant de collecteur - continu 3
PC Dissipation de puissance de collecteur 1,25 W
TJ La température de jonction 150 ℃
Tstg Température de stockage -55-150 ℃

 
 
 

 


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

 

 

Ventres =25 Š sauf indication contraire

Paramètre Symbole Conditions d'essai Minute Type Maximum Unité
Tension claque de collecteur-base V (BR) CBO IC = 100μA, IE =0 40     V
Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENT DE V (BR) IC = 10mA, IB =0 30     V
tension claque d'Émetteur-base V (BR) EBO IE = 100μA, IC =0 6     V
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB = 40 V, IE =0     1 µA
Courant de coupure de collecteur ICEO VCE = 30 V, IB =0     10 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB = 6 V, IC =0     1 µA
Gain actuel de C.C hFE VCE = 2 V, IC = 1A 60   400  
Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE (s'est reposé) IC = 2A, IB = 0,2 A     0,5 V
Tension de saturation d'émetteur de base VBE (s'est reposé) IC = 2A, IB = 0,2 A     1,5 V

 

Fréquence de transition

 

pi

VCE = 5V, IC =0.1A

f =10MHz

  

 

90

  

 

Mégahertz

 
  

CLASSIFICATION du hFE (2)

Rang R O Y LE GR
Gamme 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Caractéristiques typiques

 

 
 Tension de collecteur-émetteur de transistor de puissance des transistors de puissance d'astuce de RoHS NPN 30vTension de collecteur-émetteur de transistor de puissance des transistors de puissance d'astuce de RoHS NPN 30vTension de collecteur-émetteur de transistor de puissance des transistors de puissance d'astuce de RoHS NPN 30vTension de collecteur-émetteur de transistor de puissance des transistors de puissance d'astuce de RoHS NPN 30v
 

Dimensions d'ensemble de paquet
 

 

Symbole Dimensions dans les millimètres Dimensions en pouces
Minute Maximum Minute Maximum
2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TYPE 0,090 TYPES
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 
 
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1 - 2 semaines
Conditions de paiement :
L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement :
18,000,000PCS/par jour
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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
5 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
STM32 IC, Stabilisateur IC de tension, Unité de microcontrôleur de MCU
Niveau de certification :
Verified Supplier
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