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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Semi-conducteurs discrets IRFS3207ZTRRPBF de transistor MOSFET de transistor à effet de champ de la Manche de N

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MOQ：Négociable

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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

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Shenzhen Res Electronics Limited

SMD MOS Field Effect Transistor SOT-23 LP3407LT1G RoHS

Number modèle：LP3407LT1G

MOQ：discutable

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JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)

transistor à effet de champ du transistor de puissance de la CE de 800V CoolMOSTM IPA80R1K4CE

Capacité d'approvisionnement：10000/Piece/Weekly

MOQ：100 / Négociable

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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

Circuits intégrés IC CJL2019 SOT-23 N-canal 5A20V Transistor à effet de champ CJ/Changjing Original

Délai de livraison：Les marchandises seront expédiées dans un délai de 3 jours après réception du paiement.

Lieu d'origine：Originaux et nouveaux

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Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

N type 1200V Sic Power Mosfet, Transistor à effet de champ de silicium d' oxyde métallique

Délai de livraison：2 à 30 jours (selon la quantité totale)

Lieu d'origine：Guangdong, NC

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Délai de livraison：Selon vos exigences.

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand

Number modèle：FDB2614

MOQ：>=1pcs

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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

Transistor à effet de champ MOS à semi-conducteur N-canal 40V90A de IPD036N04L SOT-252 SMPS MOSFET à commutation rapide

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Shijiazhuang Zhengzhong Technology Co., Ltd

Les toits en aluminium pour les réservoirs d'eaux usées: contrôle et confinement efficaces des odeurs

Élastique：Identique à la feuille d'acier, environ 500n / mm

Grade d'acier：Art 310

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

l'automobile 238W ébrèche les transistors TO-247-3 d'arrêt de champ de fossé d'AFGHL40T65SPD IGBT

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Capacité d'approvisionnement：10000pcs par mois

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Chongqing Beiyi Import And Export Trade Co., Ltd.

DAYANG Triode 150cc Tricycle pour le fret 10PCS MOS Tubes à effet de champ plus longs Taille de boîte de fret

Type de conduite：Motorisé

Type de carrosserie：Il est ouvert.

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Angel Technology Electronics Co

TRANSISTORS MOSFET de transistor de puissance de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E rf

Number modèle：PD85035S-E

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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Arrêt de champ de fossé de BIDW30N60T IGBT 600V 60A 230W par le trou TO-247

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Dongguan Ziitek Electronical Material and Technology Ltd.

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Numéro de modèle：TS-TIR300L

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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Number modèle：SS496B

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