Polarité de transistor :
NPN
Catégorie de produits :
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal :
0,5 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :
80 V
Emballage / boîtier :
Le SOT-23-3
Température de fonctionnement maximale :
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain :
100 MHz
Tension de collecteur-base VCBO :
80 V
Série :
Le produit doit être présenté dans un emballage en acier.
Tension basse VEBO d'émetteur :
4 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur :
0,25 V
Produit de fabrication :
Uniseme