Les spécifications
Polarité de transistor :
NPN
Catégorie de produits :
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal :
0,5 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :
80 V
Emballage / boîtier :
Le SOT-23-3
Température de fonctionnement maximale :
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain :
100 MHz
Configuration :
Unique
Tension de collecteur-base VCBO :
80 V
Série :
Le produit doit être présenté dans un emballage en acier.
Tension basse VEBO d'émetteur :
4 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur :
0,25 V
Produit de fabrication :
Uniseme
Définition
Le MMBTA06LT1G, de onsemi, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons ont un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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MMBTA06LT1G

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Polarité de transistor :
NPN
Catégorie de produits :
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal :
0,5 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :
80 V
Emballage / boîtier :
Le SOT-23-3
Fournisseur de contact
MMBTA06LT1G

WONDERFUL SEMICONDUCTOR(HONG KONG)CO.,LIMITED

Active Member
2 Années
hongkong
Depuis 2015
Total annuel :
8000000-10000000
Nombre de salariés :
100~200
Niveau de certification :
Active Member
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