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FDD86102
FDD86102
Les spécifications
Catégorie :
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET :
-
Vgs(th) (maximum) @ Id :
4V @ 250µA
Température de fonctionnement :
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier :
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :
19 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24mOhm @ 8A, 10V
Type de FET :
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) :
6V, 10V
Le paquet :
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :
Pour les appareils électroniques
Vgs (maximum) :
± 20 V
Statut du produit :
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :
1035 pF @ 50 V
Type de montage :
Monture de surface
Série :
PowerTrench®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :
TO-252AA
Mfr :
Uniseme
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :
Le nombre d'étoiles est calculé en fonction de l'échantillon.
Dissipation de puissance (maximum) :
3.1W (Ta), 62W (Tc)
La technologie :
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base :
Le numéro de série FDD861
Définition :
Transistor MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Définition
N-canal 100 V 8A (ventres), 36A (comité technique) 3.1W (merci), bâti TO-252AA de la surface 62W (comité technique)
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Détails du produit
Catégorie :
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS
Caractéristique de FET :
-
Vgs(th) (maximum) @ Id :
4V @ 250µA
Température de fonctionnement :
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier :
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :
19 OR @ 10 V
Fournisseur de contact
FDD86102

WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED

Active Member
2 Années
hongkong
Depuis 2015
Produits principaux :
Puce de protection de circuit, Connecteur IC, IC électromécanique
Total annuel :
8000000-10000000
Nombre de salariés :
100~200
Niveau de certification :
Active Member
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