Résumé

Le carbure de silicium (SiC), un semi-conducteur à large bande passante de troisième génération, domine les marchés de haute température, haute fréquence et haute puissance, y compris les véhicules électriques, la 5G et les énergies renouvelables.Je suis désolée.Poudre de siliciumpour le SiCest une source spécialisée de silicium ultra-pur conçue pour la croissance des cristaux de SiC et la fabrication de dispositifs.technologie de CVD assistée par plasma, il fournit:

• Pureté ultra-haute: impuretés métalliques ≤ 1 ppm, oxygène ≤ 5 ppm (conformément aux normes ISO 10664-1).
• Taille de particule tailorable: D50 d'une largeur de 0,1 à 5 μm avec une distribution étroite (PDI < 0,3).
• Réactivité supérieure: les particules sphériques améliorent l'activité chimique, augmentant les taux de croissance du SiC de 15 à 20%.
• Conformité environnementale: certifié RoHS 2.0/REACH, non toxique et sans risque de résidus.
   

Contrairement aux poudres de silicium métallurgiques conventionnelles, notre produit utilise la dispersion à l'échelle nanométrique et la purification du plasma pour réduire la densité des défauts, permettant une production efficace de plaquettes SiC de 8 pouces et plus.

Compagnie Introduction

Notre société, ZMSH, est un acteur important dans l'industrie des semi-conducteurs depuisdepuis plus d'une décennieNous sommes spécialisés dans la fourniture de solutions sur mesure pour les plaquettes de saphir.offrant à la fois des conceptions sur mesure et des services OEM pour répondre aux divers besoins des clientsChez ZMSH, nous nous engageons à livrer des produits qui excellent à la fois en prix et en qualité, assurant la satisfaction des clients à chaque étape.Nous vous invitons à nous contacter pour plus d'informations ou pour discuter de vos besoins spécifiques.

Poudre de silicium Paramètres techniques

Poudre de SiC Applications

1. Croissance des cristaux de siliciumJe suis désolée.

• Je suis désolée.Procédure: PVT (transport par vapeur) /LPE (épitaxie en phase liquide)
• Je suis désolée.Le rôle: Une source de Si de haute pureté réagit avec des précurseurs de carbone (C2H2/CH4) à > 2000°C pour former des noyaux de SiC.
• Je suis désolée.Les avantages: Une faible teneur en oxygène réduit au minimum les défauts de bordure des grains; une taille de particule uniforme améliore le taux de croissance de 15 à 20%.

Je suis désolée.2. MOCVD Dépôt épitaxialJe suis désolée.

• Je suis désolée.Procédure: CVD métal-organique (MOCVD)
• Je suis désolée.Le rôle: source de dopage pour les couches de SiC de type n/p.
• Je suis désolée.Les avantages: Le matériau ultrapur empêche la contamination de la couche épitaxienne, atteignant une densité de piège électronique < 1014 cm−3.

Je suis désolée.3. CMP PolissageJe suis désolée.

• Je suis désolée.Procédure: Planarisation chimique mécanique
• Je suis désolée.Le rôle: réagit avec le substrat SiC pour former du SiO2 soluble pour lisser la surface.
• Je suis désolée.Les avantages: Les particules sphériques réduisent le risque de rayures; la vitesse de polissage augmente de 3x par rapport aux boues d'alumine.

Je suis désolée.4- Énergie renouvelable et photovoltaïqueJe suis désolée.

• Je suis désolée.Applications: trous transportant des couches dans des cellules solaires en pérovskite, additifs électrolytiques à l'état solide.
• Je suis désolée.Les avantages: Une SSA élevée améliore la dispersion du matériau, réduisant la résistance de l'interface.

Affichage du produit - ZMSH

Poudre de SiCFAQ. Je vous en prie.

Q: Comment la pureté du silicium affecte-t-elle les performances des appareils SiC?

A: Je suis désolé.Les impuretés (par exemple, Al, Na) créent des défauts de niveau profond, augmentant la recombinaison des transporteurs.