Les spécifications
Number modèle :
10x10x0.5mmt
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
1-50pcs/month
Délai de livraison :
2-3weeks
Détails de empaquetage :
paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Matériel :
Type 4H-N de monocristal sic
Catégorie :
/Production factice/catégorie de recherches
Thicnkss :
0.5mm
Suraface :
Poli
Application :
rapport de l'essai
Diamètre :
10x10x0.5mmt
Couleur :
Vert de thé
Définition

 
De Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de lingots/de substrats wafersS/Customzied de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm grande pureté 4H-N 4inch 6inch (sic) de comme-coupe sic de gaufrettes fenêtres sic/verre/verres

Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)

 

Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance.

1. Description
Propriété 4H-SiC, monocristal 6H-SiC, monocristal
Paramètres de trellis a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre ABCB ABCACB
Dureté de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densité 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coefficient d'expansion 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Index @750nm de réfraction

aucun = 2,61
Ne = 2,66

aucun = 2,60
Ne = 2,65

Constante diélectrique c~9.66 c~9.66
ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conduction thermique (semi-isolante)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Bande-Gap eV 3,23 eV 3,02
Champ électrique de panne 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Vitesse de dérive de saturation 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

gaufrette 4H - N sic Crystal Chips de carbure de silicium de 10 x de 10 x de 0.5mm

Spécifications de substrat de carbure de silicium de diamètre de la grande pureté 4inch (sic)
gaufrette 4H - N sic Crystal Chips de carbure de silicium de 10 x de 10 x de 0.5mm

 
CATALOGUE   TAILLE COMMUNE
                            
 

 

4 H-N Type/gaufrette/lingots grande pureté sic
2 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic
4 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
6 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic

 
gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic

2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
 
 
sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette/lingot de type n de pouce 6H sic
 
 Taille de Customzied pour 2-6inch
 
 

Au sujet de ZMKJ Company
 
ZMKJ peut fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de haute température et de puissance élevée. Sic la gaufrette peut être fournie dans pouce du diamètre 2-6, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

 
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1-50pcs/month
Délai de livraison :
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