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Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Substrate 750 ± 25um 4H-N Type d'orientation 100 Grade de recherche de production
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Les spécifications
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T,
Délai de livraison :
2-4weeks
Détails de l'emballage :
conteneur simple de gaufrette
Polytype :
4H-SiC 6H-SiC
Diamètre :
12 pouces 300 mm
Conductivité :
N type / semi-isolateur
Dopant :
N2 (azote) V (vanadium)
orientation :
Sur l'axe <0001> hors de l'axe <0001> à 4°
Résistance :
0.015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N)
Densité des micropipes (MPD) :
≤ 10/cm2 ~ ≤ 1/cm2
TTV :
≤ 25 μm
Définition

 

 

Wafer 12 pouces en SiC Wafer en carbure de silicium 300 mm 750 ± 25um 4H-N orientation de type 100 Production

 

 

L'abstrait de la plaquette SiC de 12 pouces

 

Cette plaque en carbure de silicium (SiC) de 12 pouces est conçue pour des applications de semi-conducteurs avancés, avec un diamètre de 300 mm, une épaisseur de 750 ± 25 μm,une orientation cristalline de type 4H-N avec un poly-type de 4H-SiCLa wafer est produite en utilisant des techniques de fabrication de haute qualité pour répondre aux normes des environnements de recherche et de production.à haute température, et les appareils à haute fréquence, souvent utilisés dans des applications telles que les véhicules électriques (VE), l'électronique de puissance et la technologie RF.L'intégrité structurelle supérieure et les spécifications précises des plaquettes assurent des rendements élevés dans la fabrication des appareils, offrant des performances optimales dans la recherche de pointe et les applications industrielles.

 

 

 

Graphique des données de la plaquette SiC de 12 pouces

 

1 2pouces Spécification du substrat pour le carbure de silicium (SiC)
Grade Production ZéroMPD
Grade (grade Z)		 Production standard
Grade ((P Grade)		 Grade de factice
(Classe D)
Diamètre 3 0 0 mm
Épaisseur 4H-N 750 μm±15 μm 750 μm±25 μm
4H-SI 750 μm±15 μm 750 μm±25 μm
Orientation de la gaufre En dehors de l'axe : 4,0° vers < 1120 > ± 0,5° pour 4H-N, sur l'axe : < 0001> ± 0,5° pour 4H-SI
Densité des micropipes 4H-N ≤ 0,4 cm- Deux. ≤ 4 cm- Deux. ≤ 25 cm- Deux.
4H-SI ≤ 5 cm-2 ≤ 10 cm- Deux. ≤ 25 cm- Deux.
Résistance 4H-N 00,015 à 0,024 Ω·cm 00,015 à 0,028 Ω·cm
4H-SI ≥ 1E10 Ω·cm ≥ 1E5 Ω·cm
L'orientation principale est plate {10-10} ± 5,0°
Longueur plate primaire 4H-N N/A
4H-SI Encastrement
Exclusion des bords 3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement comprise entre 5 μm et 15 μm. Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.
Roughness (graisseuse) Ra≤1 nm polonais
CMP Ra≤0,2 nm Ra≤0,5 nm
Les bords se fissurent à la lumière de haute intensité
Plaques hexagonales par haute intensité lumineuse
Zones de polytypes par haute intensité lumineuse
Inclusions de carbone visuel
La surface du silicium est rayée par la lumière de haute intensité		 Aucune
Surface cumulée ≤ 0,05%
Aucune
Surface cumulée ≤ 0,05%
Aucune		 Longueur cumulée ≤ 20 mm, longueur unique ≤ 2 mm
Surface cumulée ≤ 0,1%
Surface cumulée ≤ 3%
Surface cumulée ≤ 3%
Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaque
Les puces de pointe par la lumière de haute intensité Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm 7 permis, ≤ 1 mm chacune
(TSD)Dislocation de vis de filetage ≤500 cm- Deux. N/A
(BPD)Dislocation du plan de base ≤1 000 cm- Deux. N/A
SSurface de l'iliconContamination par la lumière à haute intensité Aucune
Emballage Cassette à plaquettes multiples ou récipient à plaquette unique
Nom de l'entreprise:
1 Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaque, à l'exception de la zone d'exclusion des bords.
Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si.
3 Les données de dislocation proviennent uniquement de plaquettes gravées KOH.

 

 

 

La photo de la galette SiC de 12 pouces

 

 

Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Substrate 750 ± 25um 4H-N Type d'orientation 100 Grade de recherche de productionWafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Substrate 750 ± 25um 4H-N Type d'orientation 100 Grade de recherche de production

 

 

Les propriétés de la gaufre SiC de 12 pouces

 

 

1.Propriétés du SiC:

  • Large bande passante: Le SiC a une large bande passante (~ 3,26 eV), ce qui lui permet de fonctionner à des tensions, températures et fréquences plus élevées que le silicium traditionnel (Si).
  • Conductivité thermique élevée: La conductivité thermique du SiC est beaucoup plus élevée que celle du silicium (environ 3,7 W/cm·K), ce qui le rend bien adapté aux applications à haute puissance où la dissipation thermique est critique.
  • Voltage de rupture élevé: Le SiC peut supporter des tensions beaucoup plus élevées (jusqu'à 10 fois plus élevées que le silicium), ce qui le rend idéal pour l'électronique de puissance, comme les transistors de puissance et les diodes.
  • Mobilité élevée des électrons: La mobilité des électrons dans le SiC est plus élevée que dans le silicium traditionnel, ce qui contribue à des temps de commutation plus rapides dans les appareils électroniques.

2.Propriétés mécaniques:

  • Dureté élevée: Le SiC est très dur (dureté de Mohs 9), ce qui contribue à sa résistance à l'usure mais le rend également difficile à traiter et à usiner.
  • Rigidité: Il a un module de Young élevé, ce qui signifie qu'il est plus rigide et plus durable que le silicium, ce qui améliore sa robustesse dans les appareils.
  • Fragilité: Le SiC est plus fragile que le silicium, ce qui est important à prendre en compte lors du traitement des plaquettes et de la fabrication des appareils.

 

 

 

Applications de la plaque SiC de 12 pouces

 

 

Les plaquettes SiC de 12 pouces sont principalement utilisées dans l'électronique de puissance haute performance, y compris les MOSFET de puissance, les diodes et les IGBT, permettant une conversion d'énergie efficace dans des industries telles quevéhicules électriques,énergie renouvelable, etsystèmes d'alimentation industrielleLa haute conductivité thermique du SiC, son large espace de bandes et sa capacité à résister à des températures élevées le rendent idéal pour des applications dans lesélectronique automobile,les onduleurs, etsystèmes énergétiques à haute puissance. Son utilisation dansappareils RF à haute fréquenceetsystèmes de communication au micro-ondesIl est également essentiel pour les télécommunications, l'aérospatiale et les systèmes de radar militaires.

 

En outre, les plaquettes SiC sont utilisées dansLED et optoélectronique, servant de substrat pourLED bleues et UVLa résistance du matériau dans des environnements difficiles lui permet d'être utilisé dans desdétecteurs à haute température,appareils médicaux, etsystèmes d'alimentation par satellite. Avec son rôle croissant dansles réseaux intelligents,stockage de l'énergie, etdistribution de l'électricitéLe SiC contribue à améliorer l'efficacité, la fiabilité et les performances dans un large éventail d'applications.

 

 

Les questions et réponses de la galette SiC de 12 pouces

 

1.C'est quoi une galette SiC de 12 pouces?

Réponse: Une plaque SiC de 12 pouces est un substrat en carbure de silicium (SiC) d'un diamètre de 12 pouces, principalement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs, en particulier pour la haute puissance, la haute température,et les applications à haute fréquenceLes matériaux SiC sont largement utilisés dans l'électronique de puissance, l'électronique automobile et les appareils de conversion d'énergie en raison de leurs excellentes propriétés électriques, thermiques et mécaniques.

2.Quels sont les avantages d'une galette SiC de 12 pouces?

Réponse: Les avantages d'une plaque SiC de 12 pouces comprennent:

  • Stabilité à haute température: Le SiC peut fonctionner à des températures allant jusqu'à 600°C ou plus, offrant ainsi de meilleures performances à haute température que les matériaux traditionnels en silicium.
  • Gestion de la puissance élevée: Le SiC peut résister à une tension et à un courant élevés, ce qui le rend approprié pour des applications de haute puissance telles que la gestion des batteries des véhicules électriques et les alimentations industrielles.
  • Conductivité thermique élevée: Le SiC a une conductivité thermique nettement plus élevée que le silicium, ce qui contribue à une meilleure dissipation de chaleur, améliorant la fiabilité et l'efficacité du dispositif.

 

Le titre:Wafer SiC de 12 pouces et substrat SiC de 12 pouces
 
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4H-SiC 6H-SiC
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
substrat de saphir, Saphir Windows optique, Gaufrette de carbure de silicium
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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