Introduction du plateau en céramique SICJe suis désolée.
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Le plateau en céramique SIC (Silicon Carbide Ceramic Tray) est un outil de transport industriel à haute performance basé sur du carbure de silicium (SiC).photovoltaïqueLe SiC est également utilisé pour la fabrication d'autres matériaux, comme le silicone, le laser et d'autres domaines, en tirant parti des propriétés exceptionnelles du SiC, telles que la résistance aux températures élevées, la résistance à la corrosion, la résistance à l'usure, la résistance à l'usure, la résistance à la corrosion, la résistance à la corrosion, etc.Il remplace idéalement les matériaux traditionnels tels que le graphite et les métaux dans les scénarios industriels avancés..

Principes de basePlateau céramique SICJe suis désolée.
 

(1) Propriétés matérielles

Résistance à haute température: point de fusion jusqu'à 2700°C, fonctionnement stable à 1800°C, adapté aux procédés à haute température (par exemple, gravure ICP, MOCVD).
Haute conductivité thermique: 140 ≈ 300 W/m·K (supérieure au graphite et au SiC frité), assurant une répartition uniforme de la chaleur et minimisant les déformations induites par les contraintes thermiques.
Résistance à la corrosion: résistant aux acides forts (par exemple HF, H2SO4) et aux alcalis, évitant la contamination ou les dommages structurels.
Faible expansion thermique: coefficient d'expansion thermique (4,0×10−6/K) proche du silicium, réduisant la déformation lors des changements de température.

2) Conception structurelle

Haute pureté et densité : teneur en SiC ≥ 99,3%, porosité ≈0, formée par frittage à haute température (2250 ∼ 2450 °C) pour empêcher la chute de particules.
Tailles personnalisables: Prend en charge les grands diamètres (p. ex. φ600 mm) et les caractéristiques intégrées (trous sous vide, rainures) pour la manipulation des plaquettes et la pulvérisation sous vide

Principales applicationsPlateau céramique SICJe suis désolée.
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(1) Fabrication de semi-conducteurs

Traitement des plaquettes: Utilisé dans la gravure ICP et la déposition par vapeur chimique (CVD) pour stabiliser le positionnement des plaquettes.
Équipement MOCVD : agit comme support de la croissance du GaN (nitrure de gallium) dans les LED à haute luminosité, résistant à des températures de 1100 ∼ 1200 °C.

(2) Les photovoltaïques

Croissance des cristaux de silicium : remplace les creusets de quartz dans la production de silicium polycristallin, tolérant des températures de fusion > 1420°C.

(3) Traitement au laser et à la précision

Gravure/coupe: sert de plate-forme pour les matériaux gravés au laser, résistant aux chocs de faisceaux à haute énergie.

(4) Ingénierie chimique et environnementale

Équipement résistant à la corrosion: utilisé dans les conduites et les réacteurs pour le traitement agressif des fluides

Questions et réponsesPlateau céramique SIC
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Q1: Comment le SIC se compare-t-il aux plateaux en graphite?
R: Le SIC résiste à des températures plus élevées (1800°C vs. ~1000°C) et évite la délamination du revêtement.

Q2: Les plateaux SIC peuvent-ils être réutilisés?
R: Oui, mais évitez les chocs mécaniques et les températures extrêmes.

Q3: Les modes de défaillance les plus courants?
R: Craquage par choc thermique ou stress mécanique.

Q4: Convient pour les environnements sous vide?
R: Oui. Une pureté élevée et un faible dégagement les rendent idéales pour la pulvérisation sous vide et la gravure sur semi-conducteurs.

Q5: Comment choisir les spécifications?
R: Prenez en compte la température du processus, la capacité de charge et la compatibilité (par exemple, des plateaux φ600 mm pour les grandes plaquettes)

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