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Wafers SiC de haute qualité 2/3/4/6/8 pouces 4H-N de type Z/P/D/R de qualité non dopée
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Les spécifications
Numéro de modèle :
Wafers SiC 2/3/4/6/8 pouces 4H-N Type de production Fausse qualité de recherche
Lieu d'origine :
Chine
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
2 à 4 semaines
Matériel :
Le SIC
Diamètre :
2/3/4/6/8 de pouce
Le type :
Le produit doit être soumis à un contrôle de qualité supérieur.
polonais :
DSP/SSP
Définition

Wafers SiC de 8 pouces de type DSP/SSP 4H-N <0001> 200 mm de qualité supérieure sans dopage

 

1. Abstrait

 

Nos gaufres SiC de haute qualité de 8 pouces de type DSP/SSP, sans dopage,sont disponibles dans des tailles allant de 2 à 8 pouces, en particulier pour le diamètre de 8'Nous sommes l'un des rares fabricants pouvant produire des plaquettes SiC de 8 poucesNous nous concentrons sur la production de haute qualité pour nos clients.

 

 

2Description du produit et de l'entreprise

 

2.1 Description du produit:

NotreWaffles SiC de haute qualité de 8 pouces de type DSP/SSP 4H-N <0001> 200 mm de qualité de recherche sans dopagesont spécialement conçus pour des applications de pointe en matière de semi-conducteurs. Ces plaquettes présentent des caractéristiques électriques et thermiques exceptionnelles, ce qui les rend adaptées à l'électronique de puissance, aux appareils RF,et environnements à haute température.

 

2.2 Description de l'entreprise:

Notre société (ZMSH)Il s'est concentré sur le champ de saphir depuisplus de 10 ans, avec des équipes professionnelles d'usine et de vente.Produits sur mesureNous prenons également en charge la conception personnalisée et pouvons être OEM.ZMSHsera le meilleur choix compte tenu du prix et de la qualité.N'hésitez pas à vous joindre à nous!

 

 

3. Applications

 

Débloquez le potentiel de vos projets de recherche et de développement avecNotre Wafers SiC de 8 pouces de type DSP/SSP 4H-N <0001> 200 mm de qualité supérieure sans dopageAvec une bande passante d'environ 3,3 eV, ces plaquettes permettent des opérations à haute tension et à haute fréquence.améliorer ainsi l'efficacité et la fiabilité dans les applications rigoureuses.

  • Lesseurs: Les substrats de SiC permettent la production de diodes laser de haute puissance qui fonctionnent efficacement dans les régions de lumière UV et bleue.Leur excellente conductivité thermique et leur durabilité les rendent idéales pour les applications nécessitant des performances fiables dans des conditions extrêmes.
  • Produits électroniques de consommation: Les substrats en SiC améliorent les circuits intégrés de gestion de l'énergie, permettant une conversion d'énergie plus efficace et une durée de vie plus longue de la batterie.permettant des chargeurs plus petits et plus légers tout en maintenant des performances élevées.
  • Piles à bord de véhicules électriques: Les substrats en SiC améliorent l'efficacité énergétique et augmentent l'autonomie de conduite. Leur application dans les infrastructures de recharge rapide favorise des temps de recharge plus rapides, ce qui améliore la commodité des utilisateurs de véhicules électriques.

 

Wafers SiC de haute qualité 2/3/4/6/8 pouces 4H-N de type Z/P/D/R de qualité non dopée

 

 

4. Affichage du produit - ZMSH

 

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5. Spécifications des plaquettes SiC

 

Wafers SiC de haute qualité 2/3/4/6/8 pouces 4H-N de type Z/P/D/R de qualité non dopée

 

 

6Questions fréquemment posées

 

6.1 Q:Quelles tailles de plaquettes SiC pouvons-nous produire?

R: Nous sommes particulièrement capables de produire des 8 pouces. Les substrats en SiC sont disponibles en différentes tailles, 2/3/4/6/8 pouces de diamètre.D'autres tailles sur mesure peuvent également être disponibles en fonction des exigences spécifiques de l'application.

 

6.2 Q:Quelles industries bénéficient de ces plaquettes?

R: Les principales industries sont l'automobile, les télécommunications, l'aérospatiale et les énergies renouvelables.

 

6.3 Q:Je peux faire personnaliser mes gaufres SiC?

R: Bien sûr! Nous produisons des produits sur mesure depuis plus de 10 ans; veuillez partager vos exigences avec nous.

 

 

7Nous offrons plus de matériaux semi-conducteurs.

 

Nous traitons également des plaquettes SiC-HPSI, des substrats de saphir et d'autres matériaux semi-conducteurs.

 

Wafers SiC de haute qualité 2/3/4/6/8 pouces 4H-N de type Z/P/D/R de qualité non dopéeWafers SiC de haute qualité 2/3/4/6/8 pouces 4H-N de type Z/P/D/R de qualité non dopée

 

Le titre:Wafer en SiC, substrat en SiC, matériaux à semi-conducteurs.

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Détails du produit
Numéro de modèle :
Wafers SiC 2/3/4/6/8 pouces 4H-N Type de production Fausse qualité de recherche
Lieu d'origine :
Chine
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
2 à 4 semaines
Matériel :
Le SIC
Diamètre :
2/3/4/6/8 de pouce
Fournisseur de contact
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
substrat de saphir, Saphir Windows optique, Gaufrette de carbure de silicium
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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