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Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW
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Les spécifications
Number modèle :
AlN-saphir 2inch
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :
50PCS/Month
Délai de livraison :
dans 30days
Détails de empaquetage :
conteneur simple de gaufrette dans la chambre de nettoyage
substrat :
gaufrette de saphir
couche :
Calibre d'AlN
épaisseur de couche :
1-5um
type de conductivité :
N/P
Orientation :
0001
application :
puissance élevée/appareils électroniques à haute fréquence
application 2 :
dispositifs de 5G saw/BAW
épaisseur de silicium :
525um/625um/725um
Définition

le saphir de 2inch 4iinch 6Inch a basé le film d'AlN de calibres d'AlN sur le substrat de saphir

2inch sur la gaufrette de couche de calibre d'AlN de substrat de saphir pour des dispositifs de 5G BAW

 

Applications de   Calibre d'AlN
 
  Notre OEM a développé des publications périodiques des technologies de propriété industrielle et des réacteurs et des équipements de croissance le-état- -le art PVT à
fabriquez les différentes tailles des gaufrettes mono-cristallines de haute qualité d'AlN, temlpates d'AlN. Nous sommes l'un des quelques monde-principaux
entreprises high techs qui propre plein capa de fabrication d'AlN ? bilities pour produire les boules et les gaufrettes de haute qualité d'AlN, et à fournir
profes ? services de sional et solutions clés en main à nos clients, disposés de la conception de réacteur et de hotzone de croissance,
modélisation et simulation, conception de processus et optimisation, cristallogénèse,
characteriza wafering et matériel ? tion. Jusqu'à en avril 2019, ils ont appliqué plus de 27 brevets (PCT y compris).
 
             Spécifications
 
SpécificationsGaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAWaracteristic de ch

 

D'autres spécifications du relaterd 4INCH GaN Template

 

 

     
  Substrats de ₃ du ₂ O d'Al de GaN/(4") 4inch
Article Non dopé de type n

Haut-enduit

de type n
Taille (millimètres) Φ100.0±0.5 (4")
Structure de substrat GaN sur le saphir (0001)
SurfaceFinished (Norme : Option de SSP : DSP)
Épaisseur (μm) 4.5±0.5 ; 20±2 ; Adapté aux besoins du client
Type de conduction Non dopé de type n de type n Haut-enduit
Résistivité (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 		 ≤±10% (4")
Densité de dislocation (cm2)
 		 ≤5×108
Superficie utilisable >90%
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100.
 

 

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Structure cristalline

Wurtzite
Constante de trellis (Å) a=3.112, c=4.982
Conduction à bande Bandgap direct
Densité (g/cm3) 3,23
Microdureté extérieure (essai de Knoop) 800
Point de fusion (℃) 2750 (barre 10-100 en N2)
Conduction thermique (W/m·K) 320
Énergie d'espace de bande (eV) 6,28
Mobilité des électrons (V·s/cm2) 1100
Champ électrique de panne (MV/cm) 11,7

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Détails du produit
Number modèle :
AlN-saphir 2inch
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5pcs
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :
50PCS/Month
Délai de livraison :
dans 30days
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
substrat de saphir, Saphir Windows optique, Gaufrette de carbure de silicium
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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