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Gaufrette enduite par SI de l'arséniure de gallium de substrat de semi-conducteur GaAs pour Microwave/HEMT/PHEMT
Gaufrette enduite par SI de l'arséniure de gallium de substrat de semi-conducteur GaAs pour Microwave/HEMT/PHEMT
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Les spécifications
Numéro de type :
6inch S-C-N
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5pcs
Conditions de paiement :
T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
500pcs par mois
Délai de livraison :
2-4 semaines
Détails d'emballage :
la gaufrette simple a emballé dans 6" boîte en plastique sous le N2
Matériau :
Monocristal de GaAs
Taille :
6inch
Epaisseur :
650um ou customzied
Du type :
entaille ou d'appartement
Orientation :
(100) 2°off
de surface :
DSP
Méthode de croissance :
VFG
Définition

le type de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N SI-a enduit la gaufrette de l'arséniure de gallium GaAs 

Description de produit

Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs)

PWAM développe et fabrique le cristal et la gaufrette d'arséniure de substrat-gallium de semi-conducteur composé. Nous technologie transformatrice a employé la technologie avancée de cristallogénèse, le gel vertical de gradient (VGF) et de GaAs gaufrette, a établi une chaîne de production de la cristallogénèse, coupe, rectifiant au traitement de polissage et a établi une salle propre de 100 classes pour le nettoyage et l'emballage de gaufrette. Notre gaufrette de GaAs incluent le lingot/gaufrettes de 2~6 pouces pour la LED, le LD et les applications de la microélectronique. Nous sommes toujours consacrés pour améliorer la qualité actuellement des sous-états et pour développer les substrats de grande taille.

Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs) pour des applications de LED

  • 1. Principalement utilisé dans l'électronique, alliages à basse température, arséniure de gallium.
  • 2. Le composé chimique primaire du gallium dans l'électronique, est utilisé dans des circuits à micro-ondes, des circuits ultra-rapides de commutation, et des circuits infrarouges.
  • 3. La nitrure de gallium et la nitrure de gallium d'indium, parce que les utilisations de semi-conducteur, produisent les diodes électroluminescentes bleues et violettes (LEDs) et les lasers de diode.
Gaufrette enduite par SI de l'arséniure de gallium de substrat de semi-conducteur GaAs pour Microwave/HEMT/PHEMT
DESCRIPTION DE PRODUIT
SPÉCIFICATIONS --6 gaufrette de type n d'arséniure de gallium du SI-dopant SSP/DSP LED/LD de pouce
Méthode de croissance
VGF
Orientation
<100>
Diamètre
150,0 +/- 0,3 millimètres
Épaisseur
650um +/- 25um
Polonais
(SSP) poli à simple face
Aspérité
Poli
TTV/Bow
<10um>
Dopant
SI
Type de conductivité
de type n
Résistivité (à la droite)
(1.2~9.9) *10-3 ohm cm
Densité de mine gravure à l'eau forte (EPD)
LED <5000>2 ; LD <500>
Mobilité
Cm2 de LED >1000/v.s ; Cm2 de LD >1500/v.s
Concentration en transporteur
LED > (0.4-4) *1018 /cm 3 ; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3

Caractéristiques de gaufrette semi-conductrice de GaAs

     

 Méthode de croissance

VGF

Dopant

de type p : Zn

de type n : SI

Forme de gaufrette

Rond (diamètre : 2", 3", 4", 6")

Orientation extérieure *

(100) ±0.5°

* d'autres orientations peut-être disponibles sur demande

Dopant

SI (de type n)

Zn (de type p)

Concentration en transporteur (cm-3)

(0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

Mobilité (cm2/V.S.)

× 103 (de 1-2.5)

50-120

Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2)

100-5000

3,000-5,000

Diamètre de gaufrette (millimètre)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Épaisseur (µm)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

CHAÎNE (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

DE (millimètre)

17±1

22±1

32.5±1

DE/SI (millimètre)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

Caractéristiques de gaufrette semi-isolante de GaAs

Méthode de croissance

VGF

Dopant

Type de SI : Carbone

Forme de gaufrette

Rond (diamètre : 2", 3", 4", 6")

Orientation extérieure *

(100) ±0.5°

* d'autres orientations peut-être disponibles sur demande

Résistivité (Ω.cm)

× 107 du ≥ 1

× 108 du ≥ 1

Mobilité (cm2/V.S)

≥ 5 000

≥ 4 000

Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

Diamètre de gaufrette (millimètre)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

Épaisseur (µm)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

CHAÎNE (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

DE (millimètre)

17±1

22±1

32.5±1

ENTAILLE

DE/SI (millimètre)

7±1

12±1

18±1

NON-DÉTERMINÉ

Polish*

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

Gaufrette enduite par SI de l'arséniure de gallium de substrat de semi-conducteur GaAs pour Microwave/HEMT/PHEMT

 

FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le premier poids) + USD12.0/kg

Q : Quel est le délai de livraison ?
(1) pour les produits standard tels que la lentille de boule, la lentille de powell et la lentille de collimateur :
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 3 semaines de travail après ordre.
(2) pour les produits -standard, la livraison est 2 ou 6 semaines de travail après que vous passiez la commande.

Q : Comment payer ?
T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, assurance sûre de paiement et de commerce sur Alibaba et etc….

Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 5pcs-20pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques

Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de détail pour nos produits.

 

Empaquetage – Logistcs
nous concernons chacun des détails du paquet, nettoyage, antistatique, traitement de choc. Selon la quantité et la forme du produit,

nous prendrons un processus différent d'emballage !

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Détails du produit
Numéro de type :
6inch S-C-N
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5pcs
Conditions de paiement :
T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
500pcs par mois
Délai de livraison :
2-4 semaines
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
substrat de saphir, Saphir Windows optique, Gaufrette de carbure de silicium
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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