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gaufrette 6H-N/4 H-N Dummy sic Crystal Wafers For Device Test de carbure de silicium de 2Inch 4inch
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Les spécifications
Numéro de type :
2inch*0.625mmt
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
10pcs
Conditions de paiement :
T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
1-50pcs/month
Délai de livraison :
2-4 semaines
Détails d'emballage :
paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Matériel :
Type 4H-N de monocristal sic
Catégorie :
Simulacre/catégorie production de recherches
Thicnkss :
0.625MM
Suraface :
comme-coupe
Application :
essai polonais de dispositif
Diamètre :
50.8mm
Définition

 

 
De Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC de lingots/de substrats wafersS/Customzied de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm grande pureté 4H-N 4inch 6inch (sic) de comme-coupe gaufrettes sic

Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)

 

Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance.

1. Description

PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM

Propriété

4H-SiC, monocristal

6H-SiC, monocristal

Paramètres de trellis

a=3.076 Å c=10.053 Å

a=3.073 Å c=15.117 Å

Empilement de l'ordre

ABCB

ABCACB

Dureté de Mohs

≈9,2

≈9,2

Densité

3,21 g/cm3

3,21 g/cm3

Therm. Coefficient d'expansion

4-5×10-6/K

4-5×10-6/K

Index @750nm de réfraction

aucun = 2,61 Ne = 2,66

aucun = 2,60 Ne = 2,65

Constante diélectrique

c~9.66

c~9.66

ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique

a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K

  

Conduction thermique (semi-isolante)

a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K

Bande-Gap

eV 3,23

eV 3,02

Champ électrique de panne

3-5×106V/cm

3-5×106V/cm

Vitesse de dérive de saturation

2,0×105 m/s

2,0×105 m/s

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spécifications de substrat de carbure de silicium de 2 po. de diamètre (sic)

Catégorie

Catégorie de production

Catégorie de recherches

Catégorie factice

 Diamètre

50,8 mm±0.38 millimètre

 Épaisseur

330 μm±25μm ou customzied

 

Orientation de gaufrette

Sur l'axe : <0001> ±0.5° pour 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI outre d'axe : 4.0° vers le  1120 de  ±0.5° pour 4H-N/4H-SI

 Densité de Micropipe

cm2 ≤5

cm2 ≤15

cm2 ≤50

Résistivité

4H-N

0.015~0.028 Ω·cm

6H-N

0.02~0.1 Ω·cm

4/6H-SI

>1E5 Ω·cm

(90%) >1E5 Ω·cm

 Appartement primaire

{10-10} ±5.0°

Longueur plate primaire

15,9 mm±1.7 millimètre

 Longueur plate secondaire

8,0 mm±1.7 millimètre

 Orientation plate secondaire

Silicium récepteur : Onde entretenue de 90°. de ±5.0° plat principal

Exclusion de bord

1 millimètre

 TTV/Bow /Warp

≤15μm/≤25μm/≤25μm

Rugosité

Ra≤1 polonais nanomètre

CMP Ra≤0.5 nanomètre


Fissures par la lumière de forte intensité

Aucun

Aucun

1 laissé, ≤1 millimètre

Plats de sortilège par la lumière de forte intensité

Area≤ cumulatif 1 %

Area≤ cumulatif 1 %

Area≤ cumulatif 3 %


Régions de Polytype par la lumière de forte intensité

Aucun

Area≤ cumulatif 2 %

Area≤5% cumulatif


Éraflures par la lumière de forte intensité

3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer

5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer

8 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer

Puce de bord

Aucun

3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun

5 laissés, ≤1 millimètre chacun
   
 
CATALOGUE   TAILLE COMMUNE
                            
 

 

4 H-N Type/gaufrette/lingots grande pureté sic
2 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic
4 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
6 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic

 
gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic

2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
 
 
sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette/lingot de type n de pouce 6H sic
 
 Taille de Customzied pour 2-6inch
 
 

Au sujet de ZMKJ Company
 
ZMKJ peut fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de haute température et de puissance élevée. Sic la gaufrette peut être fournie dans pouce du diamètre 2-6, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

 
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FAQ :

Q : Quelle est la manière du terme d'expédition et de coût et de salaire ?

: (1) nous acceptons 100% T/T à l'avance par DHL, Fedex, SME etc.

(2) si vous avez votre propre compte exprès, il est grand. Sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer.

Le fret est conforme au règlement réel.

 

Q : Quel est votre MOQ ?

: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 2pcs.

(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs.

 

Q : Est-ce que je peux adapter les produits aux besoins du client basés sur mon besoin ?

: Oui, nous pouvons adapter le matériel, les caractéristiques et la forme aux besoins du client, taille basée sur vos besoins.

 

Q : Quel est le délai de livraison ?

: (1) pour les produits standard

Pour l'inventaire : la livraison est pendant 5 jours ouvrables après que vous passez la commande.

Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou pendant 3 semaines après que vous passez la commande.

(2) pour les produits en forme spéciale, la livraison est 4 semaines de travail après que vous passiez la commande.

 

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MOQ :
10pcs
Conditions de paiement :
T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
1-50pcs/month
Délai de livraison :
2-4 semaines
Fournisseur de contact
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
7 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
substrat de saphir, Saphir Windows optique, Gaufrette de carbure de silicium
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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