TYPE substrat S+/enduit par gaufrettes Zn+ /Fe des gaufrettes 3inch 4inch N/P d'INP 2inch de semi-conducteur d'INP +

la croissance (méthode modifiée de VFG) est employée pour tirer un monocristal par un liquide borique d'oxyde encapsulant à partir d'une graine.

Le dopant (Fe, S, Sn ou Zn) est ajouté au creuset avec le polycrystal. La haute pression est appliquée à l'intérieur de la chambre pour empêcher la décomposition de la société de l'indium Phosphide.he a développé un processus pour rapporter la pureté entièrement stoechiométrique et grande et le bas monocristal d'INP de densité de dislocation.

La technique de VFG s'améliore sur grâce de méthode de LEC à une technologie thermique de cloison en liaison avec un numérique

modélisation des états thermiques de croissance. le tCZ est une technologie mûre rentable avec la reproductibilité de haute qualité du boule au boule.

Caractéristiques :
1. Le cristal est développé par la technologie liquide-scellée de droit-dessin (LEC), avec la technologie mûre et la représentation électrique stable.

2, utilisant l'instrument directionnel de rayon X pour l'orientation précise, la déviation d'orientation en cristal est seulement ±0.5°

3, la gaufrette est polis par (CMP) la technologie de polissage mécanique chimique, aspérité <0>

4, pour réaliser les conditions prêtes à employer « de boîte ouverte »

5, selon des besoins des utilisateurs, traitement spécial de produit de caractéristiques

Applications :
IIt a les avantages de la vitesse électronique élevée de dérive de limite, de la bonne tenue aux rayonnements et de la bonne conduction de chaleur. Approprié aux dispositifs de fabrication à micro-ondes et aux circuits intégrés à haute fréquence, ultra-rapides, de haute puissance.

2inch S-C-N/S a enduit des GAUFRETTES d'INP

2inch S-C-N/Fe+ a enduit des GAUFRETTES d'INP