Plaquettes InP de type N de type P de type EPF < 1000 cm2 d'épaisseur de 325 μm ± 50 μm

Résumé du produit

Notre produit, la "Wafer à haute pureté de phosphure d'indium (InP) ", est à l'avant-garde de l'innovation des semi-conducteurs.un semi-conducteur binaire réputé pour sa vitesse d'électron supérieure, notre wafer offre des performances inégalées dans les applications optoélectroniques, les transistors rapides et les diodes de tunneling par résonance.D'une large utilité dans les appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissanceNotre wafer est une pierre angulaire de la technologie de nouvelle génération, sa maîtrise de la communication à haute vitesse en fibre optique, rendue possible par sa capacité à émettre et détecter des longueurs d'onde supérieures à 1000 nm,Il s'agit d'un outil qui a été développé par les entreprises de télécommunications.Servant de substrat pour les lasers et les photodiodes dans les applications Datacom et Telecom, notre wafer s'intègre parfaitement dans les infrastructures critiques.Notre produit devient une pierre angulaire.Avec une pureté de 99,99%, nos plaquettes de phosphure d'indium assurent une efficacité et une efficacité inégalées.l'avancement technologique dans le futur.

Propriétés du produit

1. Vitesse supérieure des électrons:Dérivées du phosphure d'indium, nos plaquettes ont une vitesse d'électron exceptionnelle, dépassant celle des semi-conducteurs classiques comme le silicium.Cet attribut sous-tend leur efficacité dans les applications optoélectroniques, des transistors rapides et des diodes de résonance.

2. Performance à haute fréquence:Nos plaquettes sont largement utilisées dans les appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance, démontrant ainsi leur capacité à répondre facilement aux exigences opérationnelles les plus exigeantes.

3. Efficacité optique:Avec une capacité d'émission et de détection de longueurs d'onde supérieures à 1000 nm, nos plaquettes excellent dans les systèmes de communication à haute vitesse en fibre optique, assurant une transmission fiable des données à travers divers réseaux.

4. Substrate polyvalent:Servant de substrat pour les lasers et les photodiodes dans les applications Datacom et Telecom, nos plaquettes s'intègrent parfaitement dans diverses infrastructures technologiques,faciliter des performances et une évolutivité robustes.

5. Pureté et fiabilité:Offrant une pureté de 99,99%, nos plaquettes de phosphure d'indium garantissent des performances et une durabilité constantes, répondant aux exigences strictes des technologies de télécommunications et de données modernes.

6. Conception à l'épreuve du temps:Positionnées à l'avant-garde de l'innovation en semi-conducteurs, nos plaquettes anticipent les besoins des technologies émergentes, ce qui les rend indispensables pour les connexions en fibre optique,réseaux d'accès à l'anneau du métro, et les centres de données au milieu de la révolution 5G imminente.

7. Les spécifications:

    

   Matériel	InP à cristal unique	Les orientations	Le taux de change
   Taille (en mm)	Dia 50,8 × 0,35 mm, 10 × 10 × 0,35 mm 10 × 5 × 0,35 mm	Roughness de la surface	Ra: ≤ 5A
   Polissage	SSP (polissage à une seule surface) ou DSP (polissage à double surface)

    

   Propriétés chimiques du cristal InP:

   Cristaux simples	Dopé	Type de conduction	Concentration du transporteur	Taux de mobilité	Densité de dislocation	Taille standard
   Résultats de l'enquête	/	N	(0,4-2) × 1016	(3.5-4) ×103	5x104	Pour les pièces de rechange Φ3 × 0,35 mm
   Résultats de l'enquête	S	N	(0,8 à 3) ×1018 (4-6) ×1018	(2.0-2.4) ×103 (1.3-1.6) ×103	3 x 104 2x103	Pour les pièces de rechange Φ3 × 0,35 mm
   Résultats de l'enquête	Zn	P	(0,6-2) ×1018	70 à 90	2x104	Pour les pièces de rechange Φ3 × 0,35 mm
   Résultats de l'enquête	Le Fe	N	107- 10 ans8	≥ 2000	3 x 104	Pour les pièces de rechange Φ3 × 0,35 mm

    

   Propriétés de base:

   Structure cristalline	Tétraédrique ((M4)	Constante de la grille	a = 5,869 Å
   Densité	40,81 g/cm3	Point de fusion	1062 °C
   Masse molaire	1450,792 g/mol	Apparence	Cristaux cubiques noirs
   Stabilité chimique	Légèrement soluble dans les acides	Mobilité des électrons ((@ 300K)	5400 cm2/ ((V·s)
   Bande d'écart ((@ 300 K)	1.344eV	Conductivité thermique ((@ 300K)	0.68 W/ ((cm·K)
   Indice de réfraction	3.55 ((@ 632.8nm)

8. Applications du produit

1. Appareils optoélectroniques:Nos plaquettes de phosphure d'indium sont largement utilisées dans les applications optoélectroniques, y compris les diodes électroluminescentes (LED), les diodes laser et les photodétecteurs.Leur vitesse électronique supérieure et leur efficacité optique les rendent idéaux pour la production de composants optoélectroniques de haute performance..

2. Transistors à grande vitesse:La vitesse électronique exceptionnelle de nos plaquettes permet la fabrication de transistors à grande vitesse, essentiels pour les applications nécessitant un traitement rapide du signal et des vitesses de commutation.Ces transistors sont utilisés dans les télécommunications., les systèmes informatiques et les radars.

3. Communication par fibre optique:Les plaquettes de phosphure d'indium sont indispensables dans les systèmes de communication à haute vitesse en fibre optique en raison de leur capacité à émettre et à détecter des longueurs d'onde supérieures à 1000 nm.Ils permettent la transmission de données sur de longues distances avec une perte de signal minimale., les rendant essentiels pour les réseaux de télécommunications et les centres de données.

4. Diodes de résonance de tunneling:Nos plaquettes sont utilisées dans la production de diodes de résonance tunneling, qui présentent des effets de tunneling quantique uniques.l'imagerie terahertz, et l'informatique quantique.

5. électronique à haute fréquence:Les plaquettes InP sont couramment utilisées dans les appareils électroniques à haute fréquence et haute puissance, y compris les amplificateurs à micro-ondes, les systèmes radar et les communications par satellite.Leur haute mobilité électronique et leur fiabilité les rendent adaptés à des applications aérospatiales et de défense exigeantes..

6. Infrastructure des télécommunications et des données:Servant de substrat pour les diodes laser et les photodiodes, nos plaquettes contribuent au développement de l'infrastructure de Datacom et de télécommunications,soutien des réseaux de transmission de données et de télécommunications à grande vitesseIls sont des composants intégrés dans les émetteurs-récepteurs optiques, les commutateurs à fibre optique et les systèmes de multiplexage par division de longueur d'onde.

7. Les technologies émergentes:À mesure que les technologies émergentes telles que la 5G, l'Internet des objets (IoT) et les véhicules autonomes continueront d'évoluer, la demande de plaquettes de phosphure d'indium ne fera qu'augmenter.Ces plaquettes joueront un rôle crucial dans la mise en place de la prochaine génération de communications sans fil, des réseaux de capteurs et des appareils intelligents.

8. Recommandation pour d'autres produits ((plz cliquez sur l'image pour accéder à la page d'accueil des produits)

9. 1L'Epi est prête, le DSP, le SSP, les substrates de saphir, les gaufres, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces.
10. 
11. 2Wafer de saphir personnalisé, trous circulaires de 2 pouces pour usage médical et optique.
12.