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V375A48C600A 375Vin/ 48Vout / 600Watt Module de conversion CC-DC Module IGBT
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Les spécifications
Numéro de modèle :
Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.
Lieu d'origine :
LE JP
Quantité minimale de commande :
1 pièces
Conditions de paiement :
Paypal, TT, Western Union
Capacité à fournir :
100 pièces
Délai de livraison :
1 jour
Détails de l'emballage :
Produits en vrac
Définition :
V375A48C600A 375Vin/ 48Vout / 600Watt Module de conversion CC-DC Module IGBT
Le stock :
200 pièces
Code de la date :
Code le plus récent
Expédition par :
DHL/UPS/Fedex
Condition :
Nouveau*Original
Garantie :
365 jours
sans plomb :
Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation :
Envoi immédiat
le paquet :
Module
Mode de montage :
À travers le trou
Définition

V375A48C600A 375Vin/ 48Vout / 600Watt Module de conversion CC-DC Module IGBT

V375A48C600A 375Vin/ 48Vout / 600Watt Module de conversion CC-CC Module IGBT

Le type
Définition
Catégorie
Mfr
Série
Emballage
Produits en vrac
Statut de la partie
Actif
Le type
Module isolé
Nombre de sorties
1
Voltage - entrée (min)
250 V ou plus
Voltage - Entrée (max)
425 V
Voltage - sortie 1
Voltage - sortie 2
-
Voltage - sortie 3
-
Courant - sortie (maximum)
12.5A
Puissance (watts)
600 W
Voltage - Isolement
3 kV
Applications
ITE (commercial)
Caractéristiques
OVP, UVLO
Température de fonctionnement
-20°C à 100°C
Efficacité
880,5%
Type de montage
À travers le trou
Emballage / boîtier
Une brique complète
Taille / dimension
4.60" L x 2,20" W x 0,62" H (116,8 mm x 55,9 mm x 15,7 mm)
Numéro du produit de base

Définition

Ce module de convertisseur CC-DC utilise les technologies de traitement de puissance, de commande et d'emballage de 2e génération

fournir les performances, la souplesse et l'efficacité en termes de coûts attendus d'un composant de puissance mature.

Par exemple, un noyau à cavité placée transforme des couples d'enroulements primaires et secondaires largement séparés.

Il en résulte une capacité parasitaire et un bruit.
Commutation ZCS/ZVS à haute fréquence, emballage avancé de semi-conducteurs de puissance et gestion thermique

L'utilisation intensive de l'intégration du silicium entraîne une augmentation de la densité de puissance et des gradients de température.

1/3 du nombre de pièces d'un convertisseur de première génération.

Caractéristiques

●Période d'entrée en courant continu: 250,425V
●Résistance à la surtension d'entrée: 500 V pour 100 ms
● Sortie en courant continu: 48V
●Résultats programmables: 10 à 110%
●Réglementation: +0,25% sans charge à pleine charge
●efficacité: 90%
●Température maximale de fonctionnement: 100 °C à pleine charge
● Densité de puissance: 119 W/ pouce cube
●Hauteur au-dessus de la planche: 0,43 pouce (10,9 mm)
●Parallèle, avec tolérance à la défaillance N+M
●Architecture ZCS/ZVS à faible bruit


Applications typiques: puissance distribuée; systèmes hors ligne utilisant des terminaux avant PFC; véhicules électriques

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Wisdtech Technology Co.,Limited est une société privée.
Tél.: +86-755-23606019
Adresse: chambre 1205-1207, bâtiment Nanguang, rue Huafu,
District de Futian,Shenzhen,Guangdong,Chine

Je vous en prie.
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Je vous envoie un e-mail: sales@wisdtech.com.cn
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Wisdtech Technology Co.,Limited

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2 Années
guangdong, shenzhen
Produits principaux :
CI de circuits intégrés, Transistors RF, Optoélectronique
Nombre de salariés :
>100
Niveau de certification :
Active Member
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