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IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds
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Les spécifications
Numéro de modèle :
IXFN38N100Q2
Lieu d'origine :
États-Unis
Quantité minimale de commande :
1 pièces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité à fournir :
1500pcs
Délai de livraison :
1 jour
Détails de l'emballage :
Tubes
Définition :
IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds
Le stock :
100 pièces
Code de la date :
Code le plus récent
Expédition par :
DHL/UPS/Fedex
Condition :
Nouveau*Original
Garantie :
365 jours
sans plomb :
Conforme à la norme Rohs
Temps de réalisation :
Envoi immédiat
Définition

IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

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IXYS
Catégorie de produit: Modules à semi-conducteurs discrets
Pour les véhicules à moteur: Détails
Modules MOSFET de puissance
Je sais.
- 30 V, + 30 V
Montage du châssis
Le code de conduite est le code SOT-227-4.
- 55 °C
+ 150 °C
Pour les véhicules à moteur électrique
Tuyaux
Marque: IXYS
La configuration: Unique
Temps d'automne: 15 ns
La hauteur: 9.6 mm
Id - Courant de vidange continu: 38 A
Longueur: 38.23 mm
Nombre de chaînes: 1ère chaîne
Pd - Dissipation de puissance: 890 W
Type de produit: Modules à semi-conducteurs discrets
Rds On - Résistance à la source de drainage: 250 mOhms
Heure de montée: 28 ns
Subcatégorie: Modules à semi-conducteurs discrets
Nom commercial: HiPerFET
Polarité du transistor: N-canal
Temps de retard typique pour l'arrêt: 57 ns
Temps de retard typique d'allumage: 25 ns
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange: 1 kV
Largeur: 25.42 mm
Poids unitaire: 1.058219 once

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2 Années
guangdong, shenzhen
Produits principaux :
CI de circuits intégrés, Transistors RF, Optoélectronique
Nombre de salariés :
>100
Niveau de certification :
Active Member
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