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Résistance à faible inductance à bornes larges 50 mOhm 3W Résistance haute puissance
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Résistance à faible inductance à bornes larges 50 mOhm 3W Résistance haute puissance
Résistance à faible inductance à bornes larges 50 mOhm 3W Résistance haute puissance
Les spécifications
Numéro de modèle :
HTE2512M3W0R050F
Lieu d'origine :
Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande :
4000
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables
Nom :
Résistance terminale large
fabricant :
Walter
Série :
HTE
Taille :
1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Plage de résistance :
50 m ohms (0,05 ohms)
Tolérance :
±1%
Puissance nominale :
3W
plage de température de fonctionnement :
-55°C à +155°C
Coefficient de température :
±50 ppm/°C
Matériel :
Alliage MnCu
Par bobine :
4000
Caractéristiques :
Haute précision, haute puissance, billet basse température, faible inductance
Applications :
Détection de courant, alimentation, contrôle moteur, gestion de la batterie, convertisseur de fréque
Définition
HTE2512M3W0R050F 1225 Taille 0.05Ω (50m Ohm) Résistance à borne haute puissance 3W avec alliage MnCu pour la détection précise du courant
Dans l'électronique moderne où l'efficacité, la fiabilité et la précision sont essentielles, le HTE2512M3W0R050F représente l'excellence de l'ingénierie en matière de résistances de puissance. Cette résistance de précision de 1225, de taille 0,05Ω (50m Ohm), de 3W et de tolérance de 1 % est conçue pour répondre aux exigences rigoureuses des circuits de puissance et des applications de détection de courant.
Spécifications techniques
Paramètre Spécification
Numéro de pièce HTE2512M3W0R050F
Valeur de résistance 0.05Ω (50mΩ)
Tolérance ±1%
Puissance nominale 3W
Taille du boîtier 1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Coefficient de température (TCR) ±50 ppm/°C
Matériau de résistance Alliage de manganèse-cuivre (MnCu)
Température de fonctionnement -55°C à +155°C
Spécifications de base et identité du produit
La désignation du produit HTE2512M3W0R050F résume ses principaux attributs :
  • HTE : Famille de résistances à bornes haute température ou haute puissance
  • 2512 : Code impérial standard pour la taille des puces (3,2 mm x 2,5 mm)
  • 3W : Puissance nominale pour une dissipation sûre jusqu'à 3 watts
  • 0R050 : Valeur de résistance de 0,05 ohms (50 m Ohm)
  • F : Tolérance de 1 %
Principales caractéristiques de performance
  • Densité de puissance élevée : Puissance nominale de 3 W dans un boîtier compact 1225 grâce à des matériaux avancés et à une conception de transfert de chaleur
  • Faible coefficient de température : ±50 ppm/°C garantit une résistance stable sur les variations de température
  • Haute précision : Une tolérance de 1 % garantit des mesures de courant précises
  • Alliage de manganèse-cuivre : Offre une faible résistivité, une stabilité thermique et une fiabilité à long terme
  • Conception à faible inductance : Optimisé pour les applications haute fréquence sans distorsion du signal
Conformité et normes
Entièrement conforme aux réglementations RoHS et REACH, garantissant un statut sans plomb et respectueux de l'environnement pour la fabrication électronique mondiale.
Applications principales
  • Détection précise du courant dans les serveurs, l'infrastructure de télécommunications et les contrôleurs industriels
  • Circuits de protection contre les surintensités en tant que résistances shunt
  • Blocs d'alimentation pour la surveillance de la charge et le contrôle de la rétroaction
  • Électronique automobile dans les calculateurs et les systèmes de surveillance des batteries
  • Systèmes de gestion de l'énergie pour la surveillance de la consommation d'énergie
La résistance HTE2512M3W0R050F offre des performances supérieures grâce à sa puissance nominale élevée, sa précision exceptionnelle, sa stabilité thermique et sa faible inductance. Cela en fait une solution idéale pour les applications exigeantes de détection de courant et de dissipation de puissance dans les systèmes de 3 W et de puissance supérieure, tout en respectant les normes environnementales mondiales strictes.
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Résistance à faible inductance à bornes larges 50 mOhm 3W Résistance haute puissance

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Détails du produit
Numéro de modèle :
HTE2512M3W0R050F
Lieu d'origine :
Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande :
4000
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables
Nom :
Résistance terminale large
Fournisseur de contact
Résistance à faible inductance à bornes larges 50 mOhm 3W Résistance haute puissance
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Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Années
shenzhen
Depuis 2012
Produits principaux :
Résistance de shunt actuelle, Résistance de puce de détection de courant, Résistance terminale large
Nombre de salariés :
100~120
Niveau de certification :
Active Member
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