HTE2512M3W0R020F 1225 Taille 0.02Ω (20m Ohm) Résistance à bornes larges pour les applications de stations de base 5G
Le HTE2512M3W0R020F est une résistance à bornes 1225 0.02Ω (20m Ohm) 3W 1% spécialisée, conçue pour les circuits de puissance et de mesure avancés. Ce composant haute performance offre stabilité, précision et durabilité dans des conditions exigeantes, tout en respectant les normes environnementales RoHS, REACH et sans plomb.
Spécifications techniques
| Paramètre |
Spécification |
| Numéro de pièce |
HTE2512M3W0R020F |
| Valeur de résistance |
0.02Ω (20mΩ) |
| Tolérance |
±1% |
| Puissance nominale |
3W |
| Taille du boîtier |
1225 (6,4 mm * 3,2 mm) |
| Coefficient de température (TCR) |
±50 ppm/°C |
| Matériau de résistance |
Alliage cuivre-manganèse (MnCu) |
| Température de fonctionnement |
-55°C à +155°C |
Principales caractéristiques
- Résistance ultra-faible : 0,02Ω (20mΩ) pour des chutes de tension minimales dans les applications de détection de courant
- Puissance nominale élevée : Capacité de dissipation de 3W dans un boîtier compact 2512
- Tolérance de précision : ±1 % garantit des performances constantes tout au long de la production
- Construction en alliage MnCu : Offre une stabilité exceptionnelle avec un faible TCR et une FEM thermique
- Conception à faible inductance : Idéale pour les applications de commutation à haute fréquence
- Conformité environnementale : Normes RoHS, REACH et sans plomb
Avantages des matériaux
La construction en alliage cuivre-manganèse (MnCu) garantit des performances supérieures avec une résistance presque constante en fonction des variations de température. Ce matériau minimise la génération de FEM thermique aux jonctions, ce qui est essentiel pour des mesures précises à basse tension dans les applications sensibles.
Avantages de la conception
La taille du boîtier 1225 offre une surface optimale pour la dissipation de la chaleur tout en conservant un encombrement compact. La conception de la résistance à bornes comprend des connexions robustes et soudables, adaptées aux chemins à courant élevé et à l'assemblage automatisé. La construction à faible inductance empêche les pics de tension dans les applications à haute fréquence.
Applications
- Blocs d'alimentation (PSU) et convertisseurs CC-CC
- Systèmes de gestion de batterie (BMS) pour les VE et le stockage d'énergie
- Entraînements de moteurs et onduleurs
- Automatisation industrielle et machines CNC
- Amplificateurs audio haute puissance
Résumé des performances
Le HTE2512M3W0R020F combine une résistance ultra-faible, une gestion de puissance élevée et une tolérance de précision dans un boîtier conforme à l'environnement. Sa construction en MnCu et sa conception optimisée en font l'appareil idéal pour les applications de détection de courant exigeantes nécessitant précision, stabilité et fiabilité.