Conçue pour les applications électroniques exigeantes nécessitant efficacité, précision et fiabilité, la résistance de puissance HTE2512M3W0R030F excelle dans la détection de courant, la division de tension et les applications d'absorption d'impulsions. Ce composant à montage en surface offre des performances exceptionnelles dans les systèmes avancés de gestion et de contrôle de l'alimentation.
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Numéro de pièce | HTE2512M3W0R030F |
| Valeur de résistance | 0.03Ω (30mΩ) |
| Tolérance | ±1% |
| Puissance nominale | 3W |
| Taille du boîtier | 1225 (6,4 mm * 3,2 mm) |
| Coefficient de température (TCR) | ±50 ppm/°C |
| Matériau de résistance | Alliage cuivre-manganèse (MnCu) |
| Température de fonctionnement | -55°C à +155°C |
Fabriqué conformément aux réglementations RoHS et REACH, utilisant des procédés de soudure sans plomb (sans Pb) pour la compatibilité avec le marché mondial.
Le HTE2512M3W0R030F combine une gestion de puissance élevée avec une stabilité et une précision exceptionnelles. Sa construction en alliage cuivre-manganèse garantit une variation de résistance minimale en fonction de la température, tandis que la conception à faible inductance maintient l'intégrité du signal dans les applications à haute fréquence.