MachineU > Produits chinois
Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G
Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G
Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G
Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G
Les spécifications
Numéro de modèle :
HTE2512M3W0R009F
Lieu d'origine :
Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande :
4000
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables
fabricant :
Walter
Série :
HTE
Taille :
1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Plage de résistance :
9 m ohms (0,009 ohms)
Tolérance :
±1%
Puissance nominale :
3W
plage de température de fonctionnement :
-55°C à +155°C
Coefficient de température :
±100 ppm/°C
Matériel :
Alliage MnCu
Par bobine :
4000
Caractéristiques :
Haute précision, haute puissance, billet basse température, faible inductance
Applications :
Détection de courant, alimentation, contrôle moteur, gestion de la batterie, convertisseur de fréque
Définition
Résistance à borne large à très faible ohm avec taille 1225 pour les applications de station de base 5G
Dans les applications électroniques exigeantes nécessitant efficacité, précision et fiabilité, la résistance de puissance HTE2512M3W0R009F de la série HTE offre des performances exceptionnelles pour les applications à courant élevé et de haute précision.
Spécifications principales
Le code produit HTE2512M3W0R009F révèle les principales spécifications techniques :
  • 1225/HTE2512 : Boîtier de puce 2512 standard de l'industrie (6,4 mm x 3,2 mm) pour une dissipation thermique efficace
  • 0,009 Ω (9 m Ohm) : Très faible résistance pour une chute de tension minimale dans les applications de détection de courant
  • Puissance nominale de 3 W : Capacité de dissipation de puissance élevée pour les environnements à forte densité de puissance
  • Tolérance de 1 % : Haute précision de fabrication pour une mesure et un contrôle précis du courant
Spécifications techniques
Paramètre Spécification
Numéro de pièce HTE2512M3W0R009F
Valeur de résistance 0,009 Ω (9 mΩ)
Tolérance ±1 %
Puissance nominale 3 W
Taille du boîtier 1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Coefficient de température (TCR) ±100 ppm/°C
Matériau de résistance Alliage cuivre-manganèse (MnCu)
Température de fonctionnement -55 °C à +125 °C
Avantages des matériaux : alliage de manganine (MnCu)
Le HTE2512M3W0R009F utilise un alliage de manganine pour des performances supérieures :
  • Faible coefficient de température de résistance (TCR) pour des performances stables sur toute la plage de températures
  • Faible FEM thermoélectrique par rapport au cuivre pour une détection précise du courant continu
  • Excellente stabilité à long terme et résistance à l'oxydation
Fonctionnalités de performance avancées
  • Conception à faible inductance pour les applications de commutation à haute fréquence
  • Gestion thermique efficace pour un fonctionnement stable de 3 W
  • La construction robuste empêche les points chauds
Applications typiques
  • Détection précise du courant dans les unités de contrôle moteur et les convertisseurs CC-CC
  • Circuits de protection contre les surintensités dans les alimentations électriques
  • Systèmes de gestion de batterie pour véhicules électriques
  • Amplificateur de puissance et équipement audio
Conformité et qualité
Le HTE2512M3W0R009F est conforme aux réglementations RoHS et REACH, utilisant des matériaux et des processus sans plomb pour les normes environnementales mondiales.
Cette résistance de précision combine une très faible résistance, une gestion de puissance élevée et une stabilité exceptionnelle pour les applications à courant élevé exigeantes où la précision et la fiabilité sont essentielles.
Envoyez votre message à ce fournisseur
Envoyez maintenant

Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G

Demandez le dernier prix
Détails du produit
Numéro de modèle :
HTE2512M3W0R009F
Lieu d'origine :
Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande :
4000
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables
fabricant :
Walter
Fournisseur de contact
Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G
Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G

Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Années
shenzhen
Depuis 2012
Produits principaux :
Résistance de shunt actuelle, Résistance de puce de détection de courant, Résistance terminale large
Nombre de salariés :
100~120
Niveau de certification :
Active Member
Découvrez des produits similaires
Voir plus

Trouver des produits similaires par catégorie:

Page d'accueil du fournisseur Produits Résistance terminale large
MachineU Produits chinois
Fournisseur de contact
Exigence de soumission