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Résistances haute puissance faible TCR Résistance ultra faible ohm 8m Ohm
Résistances haute puissance faible TCR Résistance ultra faible ohm 8m Ohm
Résistances haute puissance faible TCR Résistance ultra faible ohm 8m Ohm
Résistances haute puissance faible TCR Résistance ultra faible ohm 8m Ohm
Les spécifications
Numéro de modèle :
HTE2512M3W0R008F
Lieu d'origine :
Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande :
4000
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables
fabricant :
Walter
Série :
HTE
Taille :
1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Plage de résistance :
8 m ohms (0,008 ohms)
Tolérance :
±1%
Puissance nominale :
3W
plage de température de fonctionnement :
-55°C à +155°C
Coefficient de température :
±100 ppm/°C
Matériel :
Alliage MnCu
Par bobine :
4000
Caractéristiques :
Haute précision, haute puissance, billet basse température, faible inductance
Applications :
Détection de courant, alimentation, contrôle moteur, gestion de la batterie, convertisseur de fréque
Définition
Résistance à borne large HTE2512M3W0R008F avec une résistance de 0,008Ω (8mΩ) Taille 1225 pour les applications de station de base 5G
Le HTE2512M3W0R008F est un composant spécialisé conçu pour les applications critiques de détection de courant et de gestion de l'alimentation. Cette résistance à borne haute performance 1225 0,008Ω (8m Ohm) 3W 1% offre une efficacité, une précision et une fiabilité exceptionnelles pour les conceptions électroniques sophistiquées.
Spécifications clés
Paramètre Spécification
Numéro de pièce HTE2512M3W0R008F
Valeur de résistance 0,008Ω (8mΩ)
Tolérance ±1%
Puissance nominale 3W
Taille du boîtier 1225 (6,4 mm * 3,2 mm)
Coefficient de température (TCR) ±100 ppm/°C
Matériau de résistance Alliage cuivre-manganèse (MnCu)
Température de fonctionnement -55°C à +125°C
Aperçu du produit et applications clés
Cette résistance à montage en surface (SMD) présente une résistance extrêmement faible de 0,008Ω (8 milliOhms) et une puissance nominale élevée de 3W avec une tolérance serrée de 1%, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant une mesure précise du courant.
Applications principales :
  • Détection de courant dans les alimentations et les convertisseurs : utilisé dans les convertisseurs CC-CC, les modules de régulateur de tension (VRM) et les alimentations à découpage
  • Systèmes de gestion de batterie (BMS): Mesure avec précision les courants de charge/décharge dans les véhicules électriques et le stockage d'énergie renouvelable
  • Contrôle et entraînements de moteurs: Sert de résistance shunt dans les circuits d'onduleur pour l'automatisation industrielle et la robotique
  • Circuits de protection contre les surintensités: Permet la surveillance du courant avec une chute de tension minimale
Principales caractéristiques de performance
Résistance ultra-faible de 0,008Ω (8mΩ)
Atteint une chute de tension négligeable (seulement 80 mV à un courant de 10 A), minimisant la perte de puissance et la génération de chaleur pour une efficacité maximale du système.
Puissance nominale élevée de 3W
La construction robuste gère les courants de surtension importants et fonctionne de manière fiable dans les environnements à haute puissance, empêchant l'emballement thermique.
Tolérance serrée de 1%
Garantit une résistance réelle dans les ±0,00008Ω de la valeur nominale, ce qui est essentiel pour une détection précise du courant dans les systèmes de contrôle.
Matériaux et construction avancés
  • Alliage MnCu: Offre une excellente stabilité thermique avec un très faible coefficient de température de résistance (TCR)
  • Conception à faible inductance: Minimise la réactance inductive pour une mesure précise de la forme d'onde du courant
  • Borne et substrat robustes: Le substrat en céramique offre une excellente isolation électrique et une conductivité thermique
Conformité et normes environnementales
Fabriqué en pleine conformité avec les réglementations RoHS et REACH. Composant sans plomb (sans Pb) adapté aux applications mondiales dans le respect de normes environnementales strictes.
Conclusion
Le HTE2512M3W0R008F est une solution hautement conçue qui équilibre une résistance ultra-faible de 0,008Ω, une puissance nominale robuste de 3W et une tolérance précise de 1 %. Sa construction en alliage MnCu supérieure et sa conception à faible inductance le rendent idéal pour la détection de courant de haute précision dans l'électronique de puissance, les systèmes automobiles et les technologies d'énergie renouvelable.
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Détails du produit
Numéro de modèle :
HTE2512M3W0R008F
Lieu d'origine :
Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande :
4000
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables
fabricant :
Walter
Fournisseur de contact
Résistances haute puissance faible TCR Résistance ultra faible ohm 8m Ohm
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Shenzhen Shun Hai Technology Co., Ltd.

Active Member
1 Années
shenzhen
Depuis 2012
Produits principaux :
Résistance de shunt actuelle, Résistance de puce de détection de courant, Résistance terminale large
Nombre de salariés :
100~120
Niveau de certification :
Active Member
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