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C-avion 1102 de R-avion 0001 Sapphire Wafer For IR et applications UV de longueur d'onde
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C-avion 1102 de R-avion 0001 Sapphire Wafer For IR et applications UV de longueur d'onde
Les spécifications
Brand Name :
BonTek
Model Number :
Sapphire (Al2O3)
Certification :
ISO:9001
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
5 Pieces
Price :
Negotiable
Payment Terms :
T/T
Supply Ability :
10000 pieces/Month
Delivery Time :
1-4 weeks
Packaging Details :
Cassette, Jar, Film package
Material :
Sapphire Wafer
Growth :
Kyropoulos method
Melting Point :
2040 degrees C
Thermal Conductivity :
27.21 W/(m x K) at 300 K
Thermal Expansion :
5.6 x 10 -6 /K (parallel C-axis) & 5.0 (perpendicular C-axis) x 10 -6 /K
Hardness :
Knoop 2000 kg/mm 2 with 2000g indenter
Specific Heat Capacity :
419 J/(kg x K)
Dielectric Constant :
11.5 (parallel C-axis) 9.4 (perpendicular C-axis) at 1MHz
Définition

C-avion 1102 de R-avion 0001 Sapphire Wafer For IR et applications UV de longueur d'onde

 

La méthode de croissance se rapporte au processus par lequel le lingot de saphir de monocristal est produit. Pour la plupart des gaufrettes de saphir c'est la méthode de Kyropoulos (abrégée en KY ou Kr). La méthode de Kyropoulos est une suite de la méthode de Czochralski (CZ) qui est employée dans la fabrication des gaufrettes de silicium. La méthode de Kr tient compte de la production des lingots très grands de saphir de monocristal qui peuvent alors être transformés en gaufrettes.

 

Les coupes typiques du saphir sont le R-avion (1102), le C-avion (0001), l'Un-avion (1120), le M-avion (1010) et le N-avion (1123). L'orientation affecte les propriétés physiques des gaufrettes de saphir – et en particulier comment elle intègre et les matchs de trellis avec d'autres matériaux.

 

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PROPRIÉTÉS OPTIQUES de SAPPHIRE Al 2O3

Chaîne de transmission

0,17 à 5,5 microns

Indice de réfraction

1,75449 (o) 1,74663 (e) à 1,06 microns

Perte de réflexion

à 1,06 microns (2 surfaces) pour o-Ray - 11,7% ; pour e-Ray - 14,2%

Indexez de l'absorption

0,3 x 10-3 cm-1 à 2,4 microns

dN/dT

13,7 x 10-6 à 5,4 microns

dn/dm = 0

1,5 microns

 

PROPRIÉTÉS PHYSIQUES de SAPPHIRE Al 2O3

Densité

3,97 g/cm3

Point de fusion

2040 degrés de C

Conduction thermique

27,21 avec (m X K) à 300 K

Dilatation thermique

5,6 x 10 -6 /K (C-axe parallèle) et 5,0 (C-axe perpendiculaire) x 10 -6 /K

Dureté

Knoop 2000 kg/mm 2 avec le pénétrateur 2000g

Capacité de chaleur spécifique

419 j (kilogramme X K)

Constante diélectrique

11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz

Module de Young (e)

335 GPa

Module (G) de cisaillement

148,1 GPa

Module de compressibilité (k)

240 GPa

Coefficients élastiques

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Limite d'élasticité apparente

MPA 275 (40 000 livres par pouce carré)

Coefficient de Poisson

0,25

 

Orientation

R-avion, C-avion, Un-avion, M-avion ou une orientation spécifique

Tolérance d'orientation

± 0.3°

Diamètre

2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces ou d'autres

Tolérance de diamètre

0.1mm 2 pouces, 0.2mm 3 pouces, 0.3mm 4 pouces, 0.5mm 6 pouces

Épaisseur

0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou d'autres ;

Tolérance d'épaisseur

25μm

Longueur plate primaire

16.0±1.0mm 2 pouces, 22.0±1.0mm 3 pouces, 30.0±1.5mm 4 pouces, 47.5/50.0±2.0mm 6 pouces

Orientation plate primaire

± 0.2° du l'Un-avion (1 1-2 0) ; C-avion (0 0-0 1) ± 0.2°, C-axe projeté 45 +/- 2°

TTV

≤10µm 2 pouces, ≤15µm 3 pouces, ≤20µm 4 pouces, ≤25µm 6 pouces

ARC

≤10µm 2 pouces, ≤15µm 3 pouces, ≤20µm 4 pouces, ≤25µm 6 pouces

Front Surface

Epi-poli (Ra< 0.3nm pour le C-avion, 0.5nm pour d'autres orientations)

Surface arrière

La terre fine (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-poli

Emballage

Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100

 

C-avion 1102 de R-avion 0001 Sapphire Wafer For IR et applications UV de longueur d'onde

 

Contrôle d'acceptation

C-avion 1102 de R-avion 0001 Sapphire Wafer For IR et applications UV de longueur d'onde

 

1. Le produit est fragile. Nous l'avons en juste proportion emballé et l'avons marqué fragile. Nous livrons par d'excellentes sociétés de messagerie domestiques et internationales pour assurer la qualité de transport.

 

2. Après réception des marchandises, manipulez svp avec soin et vérifiez si le carton externe est en bon état. Ouvrez soigneusement le carton externe et vérifiez si les caisses d'emballage sont alignées. Prenez une photo avant que vous les enleviez.

 

3. Veuillez ouvrir l'emballage sous vide dans une salle propre quand les produits doivent être appliqués.

 

4. Si les produits sont trouvés endommagés pendant le messager, prenez svp une photo ou enregistrez une vidéo immédiatement. Ne prenez pas les produits endommagés hors de la boîte de empaquetage ! Contactez-nous immédiatement et nous résoudrons le problème bien.

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Détails du produit
Brand Name :
BonTek
Model Number :
Sapphire (Al2O3)
Certification :
ISO:9001
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
5 Pieces
Price :
Negotiable
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C-avion 1102 de R-avion 0001 Sapphire Wafer For IR et applications UV de longueur d'onde
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C-avion 1102 de R-avion 0001 Sapphire Wafer For IR et applications UV de longueur d'onde

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shanghai, hangzhou
Depuis 1999
Type d'entreprise :
Manufacturer, Trading Company
Produits principaux :
Plaquette piézoélectrique, Gaufrette LiNbO3, Gaufrette LiTaO3
Total annuel :
800M-1500M
Nombre de salariés :
10~99
Niveau de certification :
Verified Supplier
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