Les spécifications
Brand Name :
BonTek
Model Number :
Sapphire (Al2O3)
Certification :
ISO:9001
Place of Origin :
China
Minimum Order Quantity :
5 Pieces
Price :
Negotiable
Payment Terms :
T/T
Supply Ability :
10000 pieces/Month
Delivery Time :
1-4 weeks
Packaging Details :
Cassette, Jar, Film package
Material :
Sapphire Wafer
Type :
Single Crystal
Color :
White / Red / Blue
Growth Method :
Horizontally Directed Crystallization (HDC)
Surface :
Double side polish
VIS range :
85%
Application :
Semicondutor Wafer, Led Chip, Optical Glass Window, Electronic Ceramics
Industry :
Led,optical Glass,eli-ready Wafer
Définition

C-axe horizontalement dirigé de Sapphire Wafer développé par cristallisation 4inch 0.5mm Epi-prêt

 

Le saphir Al2O3 de monocristal possède une combinaison unique d'excellentes propriétés optiques, physiques et chimiques. Le plus dur des cristaux d'oxyde, le saphir Al2O3 maintient son de haute résistance à températures élevées, a de bonnes propriétés thermiques et excellent transparent. L'optique de Sapphire Al 2O3 est chimiquement résistante à beaucoup d'acides et d'alcalis aux températures jusqu'à 1000 degrés de C aussi bien qu'à l'à haute fréquence en-dessous de 300 degrés de C. Ces propriétés encouragent son utilisation large de l'optique de Sapphire Al 2O3 dans les environnements hostiles où la transmission optique dans la gamme de l'évident à l'infrarouge proche est exigée.

Maintenant la majorité de cristaux se développent de la fonte liquide. Les substances les plus appropriées à se développer en cristal d'une fonte doivent fondre sans décomposition, n'ont aucune transition polymorphe et sont caractérisées par basse activité chimique. Le processus de cristallisation d'une fonte est appliqué dans les méthodes les plus répandues de croissance monocristalline de saphir : à savoir, la méthode horizontalement dirigée de la cristallisation (HDC) et la méthode de Stepanov.

 

C-axe de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prêtC-axe de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prêtC-axe de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prêt

 

PROPRIÉTÉS OPTIQUES

Transmission

0,17 à 5,5 um

Indice de réfraction

1,75449 (o) 1,74663 (e) à 1,06 um

Perte de réflexion

à 1,06 microns (2 surfaces) pour o-Ray - 11,7% ; pour e-Ray - 14,2%

Index d'absorption

0,3 x 10-3 cm-1 à 2,4 um

dN/dT

13,7 x 10-6 à 5,4 um

dn/dm = 0

1,5 um

 

PROPRIÉTÉS PHYSIQUES

Densité

3,97 g/cm3

Point de fusion

2040 degrés de C

Conduction thermique

27,21 avec (m X K) à 300 K

Dilatation thermique

5,6 x 10 -6 /K (C-axe parallèle) et 5,0 (C-axe perpendiculaire) x 10 -6 /K

Dureté

Knoop 2000 kg/mm 2 avec le pénétrateur 2000g

Capacité de chaleur spécifique

419 j (kilogramme X K)

Constante diélectrique

11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz

Module de Young (e)

335 GPa

Module (G) de cisaillement

148,1 GPa

Module de compressibilité (k)

240 GPa

Coefficients élastiques

C11=496C12=164C13=115
C33=498C44=148

Limite d'élasticité apparente

MPA 275 (40 000 livres par pouce carré)

Coefficient de Poisson

0,25

 

C-axe de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prêt

 

Contrôle d'acceptation

C-axe de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prêt

 

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C-axe de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prêt

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C-axe de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prêt
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shanghai, hangzhou
Depuis 1999
Type d'entreprise :
Manufacturer, Trading Company
Total annuel :
800M-1500M
Nombre de salariés :
10~99
Niveau de certification :
Verified Supplier
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Exigence de soumission