Les spécifications
Number modèle :
LMG3425R050RQZR
Point d'origine :
NC
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
Usine originale
Température de fonctionnement :
-40°C | 125°C (TJ)
Tension d'alimentation :
7,5 V | 18 V
Temps de montée :
2,5 NS
Temps de chute :
21 NS
Configuration :
Non-inverser
Type de produit :
Conducteurs de porte
Définition

Conducteur de silicium LMG3425R050RQZR Pilotes de porte GaN FET avec pilote intégré

Description

Le LMG3425R050RQZR intègre un pilote en silicium qui permet une vitesse de commutation jusqu'à 150 V/ns.La polarisation de grille de précision intégrée de TI entraîne une commutation SOA plus élevée par rapport aux pilotes de grille en silicium discrets.Cette intégration, combinée au boîtier à faible inductance de TI, offre une commutation propre et une sonnerie minimale dans les topologies d'alimentation à commutation dure.La force d'entraînement de grille réglable permet de contrôler la vitesse de balayage de 20 V/ns à 150 V/ns, ce qui peut être utilisé pour contrôler activement les EMI et optimiser les performances de commutation.Le LMG3425R050 inclut le mode diode idéal, qui réduit les pertes dans le troisième quadrant en permettant un contrôle adaptatif du temps mort.

Caractéristiques

Température de fonctionnement :

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tension d'alimentation :

7,5 V ~ 18 V

Temps de montée:

2,5 Ns

Temps d'automne :

21 Ns

Configuration:

Non-inverseur

Type de produit:

Pilotes de porte

Caractéristiques
Qualifié pour JEDEC JEP180 pour les topologies à commutation matérielle
FET GaN-sur-Si 600 V avec pilote de grille intégré
Tension de polarisation de grille intégrée de haute précision
CMTI 200 V/ns
Fréquence de commutation de 3,6 MHz
Vitesse de balayage de 20 V/ns à 150 V/ns pour l'optimisation des performances de commutation et l'atténuation des interférences électromagnétiques
Fonctionne de 7,5 V à 18 V
Protection robuste
Protection cycle par cycle contre les surintensités et les courts-circuits verrouillés avec une réponse < 100 ns
Résiste aux surtensions de 720 V lors de la commutation dure
Autoprotection contre la surchauffe interne et surveillance UVLO
Gestion avancée de l'alimentation
Sortie PWM de température numérique
Le mode diode idéal réduit les pertes du troisième quadrant dans le LMG3425R050

FAQ
Q. Vos produits sont-ils originaux ?
A: oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q : Quels certificats possédez-vous ?
A:Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre d'ERAI.
Q : Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
A:Oui, nous soutenons la commande d'échantillon et la commande. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Q : Comment expédier ma commande ?Est-ce sûr?
A: nous utilisons express pour expédier, tels que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront dans un bon emballage et assureront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés à votre commande.
Q : Qu'en est-il du délai de livraison ?
A: nous pouvons expédier des pièces en stock dans les 5 jours ouvrables. Si sans stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité de votre commande.

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LMG3425R050RQZR Gan Mosfet Driver Silicon Driver Gan Fet Drivers Integrated

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Number modèle :
LMG3425R050RQZR
Point d'origine :
NC
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
Usine originale
Fournisseur de contact
LMG3425R050RQZR Gan Mosfet Driver Silicon Driver Gan Fet Drivers Integrated

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission