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LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 a intégré le demi pont Gan Driver
LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 a intégré le demi pont Gan Driver
Les spécifications
Number modèle :
LMG3425R030RQZR
Point d'origine :
NC
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, L/C, Western Union
Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
Usine originale
Configuration :
Inverser, Non-inversant
Paquet/cas :
VQFN-54
Tension d'alimentation :
7,5 V - 18 V
Température de fonctionnement :
-40°C | 125°C
Temps de montée :
2,5 NS
Temps de chute :
21 NS
Définition

FET des conducteurs LMG3425R030RQZR GaN de porte avec le conducteur intégré et le mode idéal VQFN54 de diode

 

Description

Le FET de LMG342xR030 GaN avec le conducteur intégré et la protection permet à des concepteurs de réaliser de nouveaux niveaux de densité et d'efficacité de puissance dans des systèmes de l'électronique de puissance. Le LMG342xR030 intègre un conducteur de silicium qui permet le changement accélèrent à 150 V/ns. Résultats intégrés de polarisation de porte de la précision du TI dans une commutation plus élevée SOA comparé aux conducteurs discrets de porte de silicium. Cette intégration, combinée avec le paquet de faible induction du TI, fournit la commutation propre et la sonnerie minimale dans des topologies d'alimentation d'énergie de dur-commutation. La force réglable d'entraînement de porte permet le contrôle du taux de groupe de 20 V/ns à 150 V/ns, qui peuvent être employés activement pour commander l'IEM et pour optimiser la représentation de commutation. Le LMG3425R030 inclut le mode idéal de diode, qui réduit des pertes de troisième-quart de cercle en permettant le contrôle mort fois adaptatif.

 

Caractéristiques

Conducteur ICs - divers
Du côté haut, du côté bas
SMD/SMT
VQFN-54
1 conducteur
1 sortie
7,5 V
18 V
Inverser, Non-inversant
2,5 NS
21 NS
- 40 C
+ 125 C

 

 

Applications

  • Alimentations d'énergie industrielles à haute densité
  • Inverseurs solaires et commandes industrielles de moteur
  • Alimentations d'énergie sans coupure
  • Bloc alim. marchand de réseau et de serveur
  • Redresseurs marchands de télécom

 

Caractéristiques

Qualifié pour JEDEC JEP180 pour la dur-commutation
topologies
•
600
- FET de V GaN-sur-SI avec le conducteur intégré de porte
–
Tension de polarisation intégrée de porte de haute précision
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Fréquence de changement de mégahertz
–
30-V/ns à 150-V/ns a massacré le taux pour l'optimisation
de la représentation de changement et de la réduction d'IEM
–
Fonctionne à partir de 7.5-V à l'approvisionnement 18-V
•
Protection robuste
–
surintensité de Cycle-par-cycle et court verrouillé
protection de circuit avec < 100-ns="" response="">
–
Dur-commutation de moment de montée subite des tenues 720-V
–
Autoprotection de température excessive interne
et surveillance d'UVLO
•
Gestion avancée de puissance
–
La température PWM de Digital a produit
–
Le mode idéal de diode réduit des pertes de troisième-quart de cercle
dans
LMG3425R030
  • Qualifié pour JEDEC JEP180 pour des topologies de dur-commutation
  • FET de 600-V GaN-sur-SI avec le conducteur intégré de porte
  • Tension de polarisation intégrée de porte de haute précision
  • 200-V/ns CMTI
  • fréquence 2.2-MHz de changement
  • 30-V/ns à 150-V/ns a massacré le taux pour l'optimisation de commuter la représentation et la réduction d'IEM
  • Fonctionne à partir de 7.5-V à l'approvisionnement 18-V
  • Protection robuste
  • surintensité de Cycle-par-cycle et protection verrouillée de shortcircuit avec < 100-ns="" response="">
  • Dur-commutation de moment de montée subite des tenues 720-V
  • Autoprotection de température excessive interne et de surveillance d'UVLO
  • Gestion avancée de puissance
  • La température PWM de Digital a produit
  • Le mode idéal de diode réduit des pertes de troisième-quart de cercle dans LMG3425R030

 

Mesure pour déterminer des retards de propagation et des taux de groupe

 

LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 a intégré le demi pont Gan Driver

 

 

Qualifié pour JEDEC JEP180 pour la dur-commutation
topologies
•
600
- FET de V GaN-sur-SI avec le conducteur intégré de porte
–
Tension de polarisation intégrée de porte de haute précision
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Fréquence de changement de mégahertz
–
30-V/ns à 150-V/ns a massacré le taux pour l'optimisation
de la représentation de changement et de la réduction d'IEM
–
Fonctionne à partir de 7.5-V à l'approvisionnement 18-V
•
Protection robuste
–
surintensité de Cycle-par-cycle et court verrouillé
protection de circuit avec < 100-ns="" response="">
–
Dur-commutation de moment de montée subite des tenues 720-V
–
Autoprotection de température excessive interne
et surveillance d'UVLO
•
Gestion avancée de puissance
–
La température PWM de Digital a produit
–
Le mode idéal de diode réduit des pertes de troisième-quart de cercle
dans
LMG3425R030
Qualifié pour JEDEC JEP180 pour la dur-commutation
topologies
•
600
- FET de V GaN-sur-SI avec le conducteur intégré de porte
–
Tension de polarisation intégrée de porte de haute précision
–
200-V/ns CMTI
–
2,2
- Fréquence de changement de mégahertz
–
30-V/ns à 150-V/ns a massacré le taux pour l'optimisation
de la représentation de changement et de la réduction d'IEM
–
Fonctionne à partir de 7.5-V à l'approvisionnement 18-V
•
Protection robuste
–
surintensité de Cycle-par-cycle et court verrouillé
protection de circuit avec < 100-ns="" response="">
–
Dur-commutation de moment de montée subite des tenues 720-V
–
Autoprotection de température excessive interne
et surveillance d'UVLO
•
Gestion avancée de puissance
–
La température PWM de Digital a produit
–
Le mode idéal de diode réduit des pertes de troisième-quart de cercle
dans
LMG3425R030
 

FAQ
Q. Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

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10
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Délai de livraison :
5-8 jours de travail
Détails de empaquetage :
Usine originale
Fournisseur de contact
LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 a intégré le demi pont Gan Driver

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Années
shenzhen
Type d'entreprise :
Distributeur/grossiste
Produits principaux :
Puce de circuit intégré, BT IC, Modules des véhicules à moteur d'IGBT
Total annuel :
1000000-2000000
Nombre de salariés :
20~50
Niveau de certification :
Verified Supplier
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