Les spécifications
Number modèle :
V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
10
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
500000PCS
Délai de livraison :
2-15days
Détails de empaquetage :
forfait standard
Famille :
Produits semi-conducteurs discrets - Redresseur
Catégorie :
composants électroniques
Série :
Redresseur Schottky à barrière MOS de tranchée TMBS
Numéro de la pièce bas :
V20PWM45
Détails :
Diode Schottky 45 V 20A Montage en surface SlimDPAK
Type :
Transistors - FET, MOSFET - Unique
Description :
DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
Paquet :
DPak (2 fils + languette), TO263
Montage du type :
Bâti extérieur
Le stock :
En stock
Définition

V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Densité de courant élevée Trench TMBS Barrière MOS Redresseur Schottky DPAK Produits semi-conducteurs discrets

V20PWM45 :Redresseur haute densité de courant monté en surface TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) VF ultra faible = 0,35 V à IF = 5 A
V20PWM45CRedresseur haute densité de courant monté en surface TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) VF ultra faible = 0,39 V à IF = 5 A

APPLICATIONS
Pour une utilisation dans les convertisseurs DC/DC haute fréquence basse tension,
diodes de roue libre et applications de protection de polarité

CARACTÉRISTIQUES
• Profil très bas - hauteur typique de 1,3 mm
• Technologie Trench MOS Schottky
• Idéal pour le placement automatisé
• Faible chute de tension directe, faibles pertes de puissance
• Fonctionnement à haut rendement
• Répond au niveau 1 MSL, selon J-STD-020,
Pic maximum LF de 260 °C
• Qualifié AEC-Q101 disponible
- Code de commande automobile : base P/NHM3
• Catégorisation des matériaux


La description
Ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.
Les caractéristiques supplémentaires de ce produit sont une température de fonctionnement de jonction de 175°C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches répétitives.Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.

Caractéristiques :
Technologie de processus avancée Résistance à l'état passant ultra faible 175 °C Température de fonctionnement Commutation rapide Avalanches répétitives autorisées jusqu'à Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Spécifications techniques du produit

Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
 
Diodes - Redresseurs - Simple
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Séries
Automobile, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Paquet
Bande et bobine (TR)
Statut de la pièce
actif
Type de diode
Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)
45V
Courant - Moyenne redressée (Io)
20A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If
660 mV à 20 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr
700 µA à 45 V
Capacité @ Vr, F
3100pF @ 4V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Paquet/caisse
TO-252-3, DPak (2 fils + languette), SC-63
Ensemble d'appareils du fournisseur
SlimDPAK
Température de fonctionnement - Jonction
-40°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
V20PWM45
Numéro d'articleV20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I
Numéro de pièce de baseV20PWM45C-M3/I
RoHS UEConforme à l'exonération
ECCN (États-Unis)EAR99
Statut de la pièceactif
HTS8541.29.00.95


V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrière Redresseur SchottkyV20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrière Redresseur Schottky


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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrière Redresseur Schottky

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