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IRF1404ZPBF Transistor à canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET
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IRF1404ZPBF Transistor à canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF Transistor à canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Les spécifications
Number modèle :
IRF1404ZPBF
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
10pieces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
500000PCS
Délai de livraison :
2-15days
Détails de empaquetage :
forfait standard
Famille :
Produits semi-conducteurs discrets
Catégorie :
Composants électroniques-MOSFET (oxyde métallique)
Série :
HEXFET MOSFET (oxyde métallique)
Numéro de la pièce bas :
IRF1404
Détails :
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Type :
Transistors - FET, MOSFET - Unique
Description :
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Paquet :
TO220
Montage du type :
Par le trou
Le stock :
En stock
Définition

IRF1404ZPBF Transistors N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FET MOSFET

Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB Spécification :

Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
　
Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant
Infineon Technologies
Séries
HEXFET®
Paquet
Tube
Type FET
Canal N
La technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
40V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
180A (TC)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3,7 mOhms à 75 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF à 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
200W (TC)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
À travers le trou
Ensemble d'appareils du fournisseur
TO-220AB
Paquet/caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF1404

La description

Ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.

Les caractéristiques supplémentaires de ce produit sont une température de fonctionnement de jonction de 175°C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches répétitives.Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.

Classifications environnementales et d'exportation
ATTRIBUT LA DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

Numéro d'article IRF1404ZPBF
Numéro de pièce de base IRF1404
RoHS UE Conforme à l'exonération
ECCN (États-Unis) EAR99
Statut de la pièce actif
HTS 8541.29.00.95

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Détails du produit
Number modèle :
IRF1404ZPBF
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
10pieces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
500000PCS
Délai de livraison :
2-15days
Fournisseur de contact
IRF1404ZPBF Transistor à canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET
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Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Années
hongkong, shenzhen
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Produits principaux :
Puce PMIC, CI de circuits intégrés, Composants électroniques
Total annuel :
80 millions-500 millions
Nombre de salariés :
20~200
Niveau de certification :
Verified Supplier
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