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FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
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FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
Les spécifications
Number modèle :
BTS282Z E3230
Point d'origine :
La Malaisie
MOQ :
10pieces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
500000PCS
Délai de livraison :
2-15days
Détails de empaquetage :
forfait standard
Famille :
Produits semi-conducteurs discrets
Catégorie :
Composants électroniques-MOSFET (oxyde métallique)
Série :
Transistor MOSFET de puissance
Numéro de la pièce bas :
BTS282Z
Détails :
Transistor MOSFET N-CH 49V 80A 7-Pin des véhicules à moteur (7+Tab) TO-220 de transport
Type :
Transistors - FET, MOSFET - Unique
Description :
Transistor MOSFET 49V 80A de N-canal
Paquet :
TO220-7
Montage du type :
Par le trou
Le stock :
En stock
Définition

FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

Transistor MOSFET de la puissance BTS282ZE3230AKSA2 d'Infineon Technologies. Sa dissipation de puissance maximum est 300000 mW.

Afin d'assurer des pièces ne sont pas endommagés par l'emballage en vrac, ce produit vient dans l'emballage de tube pour ajouter un peu plus

protection en stockant les pièces lâches dans un tube externe.

Ce transistor de transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement du °C -40 à 175 °C.

Ce transistor de transistor MOSFET de canal de N fonctionne en mode d'amélioration.

Spécifications :

Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
　
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Infineon Technologies
Série
TEMPFET®
Paquet
Tube
Statut de partie
Obsolète
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
49 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
80A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
232 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
4800 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
La température sentant la diode
Dissipation de puissance (maximum)
300W (comité technique)
Température de fonctionnement
-40°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur
P-TO220-7-230
Paquet/cas
TO-220-7

Classifications environnementales et d'exportation
ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut de RoHS ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 1 (illimité)
Statut de PORTÉE ATTEIGNEZ inchangé
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

Numéro de la pièce BTS282Z E3230
Numéro de la pièce bas BTS282Z
UE RoHS Conforme avec l'exemption
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
HTS 8541.29.00.95

FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

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Détails du produit
Number modèle :
BTS282Z E3230
Point d'origine :
La Malaisie
MOQ :
10pieces
Conditions de paiement :
T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement :
500000PCS
Délai de livraison :
2-15days
Fournisseur de contact
FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7
FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

Angel Technology Electronics Co

Verified Supplier
4 Années
hongkong, shenzhen
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent
Produits principaux :
Puce PMIC, CI de circuits intégrés, Composants électroniques
Total annuel :
80 millions-500 millions
Nombre de salariés :
20~200
Niveau de certification :
Verified Supplier
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