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Équipement de semi-conducteur

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Furon de croissance des cristaux de silice PVT LPE HT-CVD méthode de croissance des cristaux uniques de silice de haute qualité

Vente à chaud!

Furon de croissance des cristaux de silice PVT LPE HT-CVD méthode de croissance des cristaux uniques de silice de haute qualité

Numéro de modèle：Furonnes à croissance de cristaux Sic

Lieu d'origine：La Chine

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Le four de culture de lingots SiC utilise les méthodes PVT, Lely TSSG et LPE pour faire pousser des cristaux de grande taille de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces

Vente à chaud!

Équipement de semi-conducteur

Le four de culture de lingots SiC utilise les méthodes PVT, Lely TSSG et LPE pour faire pousser des cristaux de grande taille de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces

Numéro de modèle：Furonnes à croissance de cristaux Sic

Lieu d'origine：La Chine

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Le four CZ produit des cristaux de saphir de haute qualité

Vente à chaud!

Équipement de semi-conducteur

Le four CZ produit des cristaux de saphir de haute qualité

Numéro de modèle：fourneau de croissance des cristaux de saphir

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Caméra VIS-NIR CCD Contour-IR Contour-M Caméra numérique 400-1700 nm Caméra multispectral

Numéro de modèle：CCD de la caméra VIS-NIR

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

VIS-NIR caméra numérique CMOS proche infrarouge CONTOUR-IR caméra multispectral 400-1700nm

Numéro de modèle：Caméra CMOS VIS-NIR

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Modulateur de phase au niobate de lithium multibande de 40 GHz LNP6118 1310 nm-1550 nm

Numéro de modèle：Modulateur de phase au niobate de lithium LNP6118

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Machine de perçage au laser Perçage à découpe de précision au laser Épaisseur 0,01-1 mm

Numéro de modèle：Machines de forage au laser

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Machine de découpe laser de verre de grand format Équipement de découpe à grande vitesse avec haute précision

Numéro de modèle：Découpeuse de laser à verre

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Compresseur d'air centrifuge à suspension magnétique à 45% à 100% de magnétisme permanent

Numéro de modèle：Compresseur d'air centrifuge à suspension magnétique

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Le procédé de croissance des bulles Kyropoulos et les équipements de croissance

Numéro de modèle：fourneau à cristaux de saphir kyropoulos

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Cristaux de saphir et fourneau de cristallisation kyropoulos

Numéro de modèle：fourneau à cristaux de saphir kyropoulos

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Machine de forage laser de haute précision avec une longueur d'onde de 1064 nm de traitement de micro-trous de haute efficacité

Numéro de modèle：Machines de forage au laser de haute précision

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Parties d'usinage de précision pour perforateurs laser de petite table à ouverture micrométrique

Numéro de modèle：Machines à perforer au laser de petite table

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Machine de découpe de précision au laser de verre, traitement du verre, système CNC UV laser

Numéro de modèle：Machine de découpe de précision au laser

Lieu d'origine：Chine

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Équipement de semi-conducteur

Forneau de recuit rapide à double cavité semi-conducteur automatique compatible avec les équipements de traitement thermique des plaquettes de 6 pouces 8 pouces 12 pouces 200-1300 °C

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Équipement de semi-conducteur

Résistance à la croissance du four à cristaux chauffage à haute température ingot 6 pouces 8 pouces 12 pouces

Objectifs:：pour un four de croissance à cristal unique SiC de 6 8 12 pouces

Plage de température:：900 ∼ 3000°C

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Équipement de semi-conducteur

SIC four de synthèse de matières premières 50 kg préparation de résistance de cristal de haute pureté SIC

Les dimensions (L × W × H):：4000 x 3400 x 4300 mm ou personnaliser

Température maximale du four:：2400℃

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Équipement de semi-conducteur

Métode PVT du four de croissance à faible consommation d'énergie 6 pouces 8 pouces 12 pouces

Plage de température:：900 à 3000 °C

Énergie de chauffage:：Pmax = 40 kW, fréquence 8 à 12 KHz;

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Équipement de semi-conducteur

Sic machine de découpe de fil de diamant

Objectifs:：Machines de découpe de fil de diamant

Taille d'équipement :：2500x2300x2500 ((L x largeur x hauteur)

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Équipement de semi-conducteur

Machine carrée monocristalline au silicium à double station 6/8/12 pouces à fente ≤ 0,5 mm haute précision ± 0,05 mm

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