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En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um
En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um
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Les spécifications
Numéro de modèle :
InAs en forme de galette
Lieu d'origine :
La Chine
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
2 à 4 semaines
Matériel :
Arsenide d'indium
Taille :
2inch 3inch 4inch
Épaisseur :
Pour les appareils de traitement des données, les valeurs de référence sont les suivantes:
orientation :
Le taux de change
Denité :
50,67 g/cm
Personnalisé :
Soutenue
Définition

Description du produit

En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um

L'indium InAs ou indium arsenide monolithique est un semi-conducteur composé d'indium et d'arsenic.L'arsenure d'indium est utilisé pour construire des détecteurs infrarouges dans la gamme de longueurs d'onde de 1-3Le détecteur est généralement une photodiode photovoltaïque. Les détecteurs cryocooled sont moins bruyants, mais les détecteurs InAs peuvent également être utilisés pour des applications de haute puissance à température ambiante.L'arsenure d'indium est également utilisé dans la fabrication de lasers à diodesL'arsenide d'indium, similaire à l'arsenide de gallium, est un matériau à bande passante directe.Alliages avec de l'arsenure de gallium pour former de l'arsenure d'indium - un matériau avec un intervalle en fonction du rapport In/GaCette méthode est principalement similaire à l'alliage du nitrure d'indium avec du nitrure de gallium pour produire du nitrure d'indium.Il est largement utilisé comme source de rayonnement terahertz parce qu'il est un puissant émetteur de lumière ambre.
En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um

Caractéristiques

- Mobilité et mobilité électroniques élevées (μe/μh=70), ce qui en fait un matériau idéal pour les appareils Hall.
- Le MBE peut être cultivé avec GaAsSb, InAsPSb et InAsSb.
- méthode d'étanchéité liquide (CZ) pour assurer la pureté du matériau jusqu'à 99,9999% (6N).
- Tous les substrats sont poli avec précision et remplis d'une atmosphère protectrice pour répondre aux exigences d'Epi-Ready.
- Sélection de l'orientation cristalline: d'autres orientations cristallines sont disponibles, telles que (110).
- Les techniques de mesure optique, telles que les ellipsomètres, assurent la propreté de la surface de chaque substrat.
En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um

Paramètres techniques

de cristal Les drogues type

 

Concentration du porteur d'ions

en cm-3

 mobilité ((cm2/V.s) MPD ((cm-2) Taille
InAs Un-dope N 5*1016 32*104 Le taux de change

Φ2′′×0,5 mm

Φ3′′×0,5 mm
InAs - Je ne sais pas N (5-20) *1017 > 2000 Le taux de change

Φ2′′×0,5 mm

Φ3′′×0,5 mm
InAs Zn P (1-20) *1017 100 à 300 Le taux de change

Φ2′′×0,5 mm

Φ3′′×0,5 mm
InAs S N (1-10) * 1017 > 2000 Le taux de change

Φ2′′×0,5 mm

Φ3′′×0,5 mm
taille (mm) Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm peut être personnalisé
Résultats Roughness de surface ((Ra): <= 5A
polonais d'une épaisseur n'excédant pas 50 mm
le paquet 100 sacs en plastique de nettoyage de qualité dans 1000 salles de nettoyage

Applications

- Optoélectronique infrarouge:L'arsenide d'indium possède d'excellentes propriétés d'absorption de la lumière infrarouge et est couramment utilisé dans la fabrication de détecteurs infrarouges, d'imagerie et de lasers.
- Électronique haute fréquence:En raison de sa grande mobilité électronique,L'arsenure d'indium est largement utilisé dans les appareils électroniques à haute fréquence et à grande vitesse tels que les FET (transistors à effet de champ) et les HEMT (transistors à haute mobilité électronique).
- Points quantiques et puits quantiques:Dans le domaine de l'informatique quantique et de la communication quantique, l'arsenide d'indium est utilisé pour fabriquer des points quantiques et des structures de puits quantiques.
- Les communications optiques:L'arsenide d'indium peut être utilisé pour fabriquer des diodes laser et des amplificateurs optiques dans les communications par fibre optique afin d'améliorer l'efficacité de la transmission du signal.
- Matériaux thermoélectriques:L'arsenure d'indium est utilisé comme matériau thermoélectrique dans les convertisseurs thermoélectriques et les refroidisseurs pour permettre la récupération d'énergie et le contrôle de la température.
- Les capteurs:Dans le domaine de la surveillance de l'environnement et de la biomédecine, l'arsenure d'indium est utilisé dans la fabrication de divers capteurs de détection des gaz et des biomolécules.
En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um
 

Nos services

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Questions fréquentes

1. Q: Comment payer?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Paiement sécurisé et commerce
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2Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications pour vos composants optiques
en fonction de vos besoins.
3Q: Quel est le délai de livraison?
A: (1) Pour les produits standard
Pour l'inventaire: la livraison est de 5 jours ouvrables après la commande.
Pour les produits sur mesure: la livraison est de 2 ou 3 semaines après la commande.
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Détails du produit
Numéro de modèle :
InAs en forme de galette
Lieu d'origine :
La Chine
Conditions de paiement :
T/T
Délai de livraison :
2 à 4 semaines
Matériel :
Arsenide d'indium
Taille :
2inch 3inch 4inch
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
Gaufrette de nitrure de gallium, Gaufrette de saphir, Sic substrat
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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