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Gaufrette semi-isolante d'INP de phosphure d'indium de 4 pouces pour la diode laser de LD
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Les spécifications
Numéro de type :
InP-3inch
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
10pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000pcs/month
Délai de livraison :
3-4weeks
Détails d'emballage :
caisse simple de gaufrette
matériaux :
Monocristal d'INP
Industrie :
substrats de semi-conducteur, dispositif,
Couleur :
Noir
Type :
type semi-
Diamètre :
100mm 4inch
Épaisseur :
625um ou 350um
Définition

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L'INP présentent

Monocristal d'INP
Gaufrette semi-isolante d'INP de phosphure d'indium de 4 pouces pour la diode laser de LD

Gaufrette semi-isolante d'INP de phosphure d'indium de 4 pouces pour la diode laser de LD

la croissance (méthode modifiée de Czochralski) est employée pour tirer un simple

cristal par un liquide borique d'oxyde encapsulant à partir d'une graine.

Le dopant (Fe, S, Sn ou Zn) est ajouté au creuset avec le polycrystal. La haute pression est appliquée à l'intérieur de la chambre pour empêcher la décomposition de la société de l'indium Phosphide.he a développé un processus pour rapporter la pureté entièrement stoechiométrique et grande et le bas monocristal d'INP de densité de dislocation.

La technique de tCZ s'améliore sur les mercis de méthode de LEC

à une technologie thermique de cloison en liaison avec un numérique

modélisation des états thermiques de croissance. le tCZ est un rentable

technologie mûre avec la reproductibilité de haute qualité du boule au boule

Spécifications

Le Fe a enduit l'INP

Caractéristiques semi-isolantes d'INP

Méthode de croissance VGF
Dopant Fer (Fe)
Forme de gaufrette Rond (diamètre : 2", 3", ET 4")
Orientation extérieure (100) ±0.5°

Orientations de *Other peut-être disponibles sur demande

Résistivité (Ω.cm) ≥0.5 × 107
Mobilité (cm2/V.S) ≥ 1 000
Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2) 1,500-5,000

Diamètre de gaufrette (millimètres) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Épaisseur (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
CHAÎNE (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
DE (millimètres) 17±1 22±1 32.5±1
DE/SI (millimètres) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Note : D'autres caractéristiques peut-être disponibles sur demande

n- et INP de type p

Caractéristiques semi-conductrices d'INP

Méthode de croissance VGF
Dopant de type n : S, Sn ET non dopé ; de type p : Zn
Forme de gaufrette Rond (diamètre : 2", 3", ET 4")
Orientation extérieure (100) ±0.5°

Orientations de *Other peut-être disponibles sur demande

Dopant S et Sn (de type n) Non dopé (de type n) Zn (de type p)
Concentration en transporteur (cm-3) (0.8-8) × 1018 × 1015 (de 1-10) (0.8-8) ×1018
Mobilité (cm2/V.S.) × 103 (de 1-2.5) × 103 (de 3-5) 50-100
Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2) 100-5,000 ≤ 5000 ≤ 500
Diamètre de gaufrette (millimètres) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Épaisseur (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
CHAÎNE (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
DE (millimètres) 17±1 22±1 32.5±1
DE/SI (millimètres) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Note : D'autres caractéristiques peut-être disponibles sur demande

Traitement de gaufrette d'INP
Gaufrette semi-isolante d'INP de phosphure d'indium de 4 pouces pour la diode laser de LD
Chaque lingot est coupé en gaufrettes qui sont enroulées, poli et surface préparée pour l'épitaxie. Le processus global est détaillé ci-dessous.

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Spécifications et identification plates L'orientation est indiquée sur les gaufrettes par deux appartements (longtemps plats pour l'orientation, le petit appartement pour l'identification). Habituellement la norme d'E.J. (entre l'Europe et le Japon) est employée. La configuration plate alternative (États-Unis) est en grande partie employée pour Ø 4" des gaufrettes.
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Orientation du boule Des gaufrettes précises (100) ou misoriented sont offertes.
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Exactitude de l'orientation de DE En réponse aux besoins de l'industrie optoélectronique, nous gaufrettes d'offres avec l'excellente exactitude du de l'orientation : < 0="">
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Profil de bord Il y a deux Spéc. communes : bord chimique traitant ou traitant mécanique de bord (avec une broyeur de bord).
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Polonais Des gaufrettes sont polies au moyen d'un processus produit-mécanique ayant pour résultat une surface plate et sans dommage. nous fournit les deux (avec l'arrière enroulé et gravé à l'eau-forte) gaufrettes polies polies et du côté simple du côté double.
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Préparation de la surface et emballage finaux Les gaufrettes passent par beaucoup d'étapes chimiques pour éliminer l'oxyde produit pendant le polissage et pour créer une surface propre avec la couche stable et uniforme d'oxyde qui est prête pour la croissance épitaxiale - la surface epiready et celle ramène des oligoéléments à extrêmement - les niveaux bas. Après inspection finale, les gaufrettes sont empaquetées d'une manière dont maintient la propreté extérieure.
Les instructions spécifiques pour le retrait d'oxyde sont disponibles pour tous les types de technologies épitaxiales (MOCVD, MBE).
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Base de données En tant qu'élément de notre programme à régulation de processus/total statistique de gestion de la qualité, la base de données étendue enregistrant les propriétés électriques et mécaniques pour chaque lingot aussi bien qu'analyse en cristal de qualité et extérieure des gaufrettes sont disponible. À chaque étape de la fabrication, le produit est inspecté avant le dépassement à la prochaine étape pour maintenir un haut niveau de la cohérence de qualité de la gaufrette à la gaufrette et du boule au boule.

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Paquet et livraison

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FAQ :

Q : Quel est votre MOQ et délai de livraison ?

: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 5 PCs.

(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10-30 PCs.

(3) pour les produits adaptés aux besoins du client, le délai de livraison dans 10days, taille custiomzed pour 2-3weeks

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Détails du produit
Numéro de type :
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MOQ :
10pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000pcs/month
Délai de livraison :
3-4weeks
Détails d'emballage :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
Gaufrette de nitrure de gallium, Gaufrette de saphir, Sic substrat
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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