Les spécifications
Numéro de modèle :
Machine de gravure du faisceau d'ions
Lieu d'origine :
Chine
Quantité de commande minimale :
3
Conditions de paiement :
T / t
Délai de livraison :
3-6 mois
Détails d'emballage :
Emballage dans une salle de nettoyage à 100 niveaux
Matériel de travail :
Au (or), PT (Platinum), Cu (cuivre)
Applications :
Fabrication de semi-conducteurs, dispositifs optiques
Avantage :
Gravure de haute précision, non sélective
Précision :
10 nanomètres ou moins
Matériau de gravure :
SI / SIO2 / Metals
Définition

Introduction à l'équipement de gravure au faisceau ionique

 

 

Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux

 

 

 

La gravure au faisceau ionique, également appelée fraisage ionique, est une technologie de gravure à sec non sélective et anisotrope.un faisceau d'ions collimé à haute énergie généré par une source ionique pour bombarder la surface de la pièce en milieu videContrairement à la gravure au plasma, l'échantillon n'est pas directement exposé au plasma,évitant ainsi les dommages électriques et la contamination causée par le plasma et permettant un meilleur contrôle du processus.

 

 

Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux

 

 


 

Résumé et analyse des sous-systèmes clés des systèmes de gravure par faisceau ionique

 


Un système de gravure au faisceau ionique se compose généralement des sous-systèmes clés suivants:

 
 
 

Sous-système

Fonction de base

Points techniques clés et incidence

Système à vide

Fournir un environnement à vide élevé

Détermine la propreté du processus, la stabilité du faisceau et la précision ultime.

Source ionique

Générer et extraire un faisceau ionique

Détermine la vitesse de gravure, l'uniformité, les types de gaz disponibles et la fiabilité de l'équipement (source RF par rapport à la source Kaufman).

Étape de l'échantillonnage

Sécuriser et manipuler les échantillons

La fonction de rotation est essentielle pour réaliser une gravure anisotrope; le contrôle de la température affecte la fenêtre du processus.

Système de contrôle

Contrôle de processus entièrement automatisé

Assure la répétabilité et la précision du processus; la détection du point final améliore la capacité du processus.

Neutralisant

Neutraliser la charge du faisceau ionique

Prévient les dommages causés par la charge sur les matériaux isolants; essentiel pour la gravure des matériaux diélectriques.

 

 


 

Principes de base de la gravure au faisceau ionique

 
 

La gravure au faisceau ionique (IBE) est une technologie de fabrication micro/nano avancée qui utilise un faisceau ionique à haute énergie pour éliminer le matériau de la surface, ce qui permet un transfert de motif précis.

 

Le principe de la gravure au faisceau ionique implique un faisceau ionique à haute énergie (généralement des ions argon) généré par une source ionique, qui bombarde la surface du matériau verticalement ou à un angle oblique.Les ions à haute énergie entrent en collision avec des atomes sur la surface du matériau.Cette méthode de gravure peut être réalisée sans réactions chimiques, appartenant à un processus de gravure physique.

 
Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux

Diagramme de structure des équipements de gravure au faisceau ionique

 

 
 
 

Capacité de traitement:

  • Matériaux: Au (or), Pt (platine), Cu (cuivre), Ta (tantal), AlN (nitrure d'aluminium), Si (silicium), SiO2 (dioxyde de silicium) et autres matériaux à film mince.

 

 

Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux

 

 

 

Flux de processus:

  1. Préparation: placer l'échantillon à graver dans une chambre sous vide et nettoyer la surface.
  2. Préparation du masque: couvrir les zones à graver avec un masque (par exemple, photorésistant ou film mince métallique) pour protéger les zones non gravées.
  3. Génération de faisceau d'ions: Activation de la source d'ions pour générer un faisceau d'ions à haute énergie, généralement à l'aide de gaz argon.
  4. Processus de gravure: contrôler l'énergie, l'angle et le temps d'exposition du faisceau ionique pour gravurer l'échantillon.
  5. Retrait du masque: une fois la gravure terminée, retirez le masque de protection pour obtenir la structure finale à motif.
 
 
Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux

Diagramme schématique du procédé de gravure au faisceau ionique

 
 
 

 

Scénarios d'application de l'équipement de gravure au faisceau ionique

 

 

1.Fabrication de semi-conducteurs:Utilisé pour créer des circuits et des motifs fins dans la fabrication de circuits intégrés.

 

2.Dispositifs optiques:Appliqué dans l'usinage de précision de composants optiques, tels que le traitement de surface des grilles et des lentilles.

 

3.Les nanotechnologies:Fabrication de nanostructures et de dispositifs, tels que les nanopores et les nanofils.

 

4.La science des matériauxUtilisé pour étudier les propriétés physiques et chimiques des surfaces des matériaux et préparer des matériaux de surface fonctionnels.

 

 

 

Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux

 

 

 


 

Avantages de l'équipement de gravure au faisceau ionique

 

 

1. Avantages:

  • Une grande précision:Permet une gravure à l'échelle nanométrique.
  • Grave non sélective:Capables de graver uniformément divers matériaux sans sélectivité chimique.
  • Surface lisse:Il en résulte une surface lisse après gravure avec une rugosité réduite.
  • Grave isotrope et anisotrope:Permet de graver dans différentes directions en contrôlant l'angle du faisceau ionique.

 

 

Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux

Étude de cas de gravure au faisceau ionique (IBE)

 

 

 

2Matériaux pouvant être gravés:

  • Les métaux:L'or, l'argent, le cuivre, l'aluminium, etc.
  • Matériaux de semi-conducteurs:Le silicium (Si), l'arsenure de gallium (GaAs), etc.
  • Matériaux isolants:Oxyde de silicium (SiO2), nitrure de silicium (Si3N4), etc.
  • Autres matériaux:Polymères, céramiques, etc.

 

3Précision de gravure:
 

La précision de la gravure au faisceau ionique dépend principalement de la capacité de mise au point du faisceau ionique, de la résolution du masque et du contrôle du temps de gravure.Il atteint généralement une précision de 10 nanomètres ou même plus, en fonction des paramètres spécifiques du procédé et des conditions de l'équipement.

 

 

Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux

 

 


 

Équipement de gravure au faisceau ioniqueQuestions fréquentes

 

Je suis désolée.

1Q: Qu'est-ce que la gravure au faisceau ionique?
R: La gravure au faisceau ionique (IBE) est un procédé de gravure à sec qui élimine le matériau en pulvérisant physiquement la surface cible avec un faisceau large et collimé d'ions à haute énergie dans un vide élevé.

 

 

2Q: Quelle est la différence entre la gravure au faisceau ionique et la gravure au faisceau ionique réactif?
R: La principale différence est que l'IBE est un processus purement physique où l'échantillon est séparé de la source ionique,tandis que RIE combine à la fois le bombardement d'ions physiques et les réactions chimiques avec l'échantillon directement dans le plasma.

 

 


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