Machine à gravure à faisceau ionique de matériaux Si/SiO2/Métaux
La gravure au faisceau ionique, également appelée fraisage ionique, est une technologie de gravure à sec non sélective et anisotrope.un faisceau d'ions collimé à haute énergie généré par une source ionique pour bombarder la surface de la pièce en milieu videContrairement à la gravure au plasma, l'échantillon n'est pas directement exposé au plasma,évitant ainsi les dommages électriques et la contamination causée par le plasma et permettant un meilleur contrôle du processus.
Un système de gravure au faisceau ionique se compose généralement des sous-systèmes clés suivants:
Sous-système |
Fonction de base |
Points techniques clés et incidence |
Système à vide |
Fournir un environnement à vide élevé |
Détermine la propreté du processus, la stabilité du faisceau et la précision ultime. |
Source ionique |
Générer et extraire un faisceau ionique |
Détermine la vitesse de gravure, l'uniformité, les types de gaz disponibles et la fiabilité de l'équipement (source RF par rapport à la source Kaufman). |
Étape de l'échantillonnage |
Sécuriser et manipuler les échantillons |
La fonction de rotation est essentielle pour réaliser une gravure anisotrope; le contrôle de la température affecte la fenêtre du processus. |
Système de contrôle |
Contrôle de processus entièrement automatisé |
Assure la répétabilité et la précision du processus; la détection du point final améliore la capacité du processus. |
Neutralisant |
Neutraliser la charge du faisceau ionique |
Prévient les dommages causés par la charge sur les matériaux isolants; essentiel pour la gravure des matériaux diélectriques. |
La gravure au faisceau ionique (IBE) est une technologie de fabrication micro/nano avancée qui utilise un faisceau ionique à haute énergie pour éliminer le matériau de la surface, ce qui permet un transfert de motif précis.
Le principe de la gravure au faisceau ionique implique un faisceau ionique à haute énergie (généralement des ions argon) généré par une source ionique, qui bombarde la surface du matériau verticalement ou à un angle oblique.Les ions à haute énergie entrent en collision avec des atomes sur la surface du matériau.Cette méthode de gravure peut être réalisée sans réactions chimiques, appartenant à un processus de gravure physique.
Diagramme de structure des équipements de gravure au faisceau ionique
Capacité de traitement:
Flux de processus:
Diagramme schématique du procédé de gravure au faisceau ionique
1.Fabrication de semi-conducteurs:Utilisé pour créer des circuits et des motifs fins dans la fabrication de circuits intégrés.
2.Dispositifs optiques:Appliqué dans l'usinage de précision de composants optiques, tels que le traitement de surface des grilles et des lentilles.
3.Les nanotechnologies:Fabrication de nanostructures et de dispositifs, tels que les nanopores et les nanofils.
4.La science des matériauxUtilisé pour étudier les propriétés physiques et chimiques des surfaces des matériaux et préparer des matériaux de surface fonctionnels.
1. Avantages:
Étude de cas de gravure au faisceau ionique (IBE)
2Matériaux pouvant être gravés:
3Précision de gravure:
La précision de la gravure au faisceau ionique dépend principalement de la capacité de mise au point du faisceau ionique, de la résolution du masque et du contrôle du temps de gravure.Il atteint généralement une précision de 10 nanomètres ou même plus, en fonction des paramètres spécifiques du procédé et des conditions de l'équipement.
Je suis désolée.
1Q: Qu'est-ce que la gravure au faisceau ionique?
R: La gravure au faisceau ionique (IBE) est un procédé de gravure à sec qui élimine le matériau en pulvérisant physiquement la surface cible avec un faisceau large et collimé d'ions à haute énergie dans un vide élevé.
2Q: Quelle est la différence entre la gravure au faisceau ionique et la gravure au faisceau ionique réactif?
R: La principale différence est que l'IBE est un processus purement physique où l'échantillon est séparé de la source ionique,tandis que RIE combine à la fois le bombardement d'ions physiques et les réactions chimiques avec l'échantillon directement dans le plasma.
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