MachineU > Produits chinois > Minéraux & Métallurgie > Métaux et produits métalliques > Autres métaux et produits métalliques
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
Les spécifications
Number modèle :
InP-2INCH
Point d'origine :
LA CHINE
MOQ :
3pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000pcs/month
délai de livraison :
3-4Weeks
Détails de empaquetage :
caisse simple de gaufrette
Matériaux :
Monocristal d'INP
Industrie :
substrats de semi-conducteur, dispositif,
Couleur :
Noir
Type :
type semi-
Diamètre :
100mm 4inch
Épaisseur :
625um ou 350um
Paquet :
caisse simple de gaufrette
Définition

gaufrette principale factice de type n de phosphure d'indium d'INP de catégorie de 2inch dia50.8mm

gaufrette semi-isolante d'INP de phosphure d'indium 4inch pour la diode laser de LD, gaufrette de semi-conducteur, gaufrette d'INP 3inch, substrats d'INP du monocristal wafer2inch 3inch 4inch pour l'application de LD, gaufrette de semi-conducteur, gaufrette d'INP, gaufrette de monocristal

L'INP présentent

Monocristal d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

la croissance (méthode modifiée de Czochralski) est employée pour tirer un simple

cristal par un liquide borique d'oxyde encapsulant à partir d'une graine.

Le dopant (Fe, S, Sn ou Zn) est ajouté au creuset avec le polycrystal. La haute pression est appliquée à l'intérieur de la chambre pour empêcher la décomposition de la société de l'indium Phosphide.he a développé un processus pour rapporter la pureté entièrement stoechiométrique et grande et le bas monocristal d'INP de densité de dislocation.

La technique de tCZ s'améliore sur les mercis de méthode de LEC

à une technologie thermique de cloison en liaison avec un numérique

modélisation des états thermiques de croissance. le tCZ est un rentable

technologie mûre avec la reproductibilité de haute qualité du boule au boule

Spécifications

Le Fe a enduit l'INP

Caractéristiques semi-isolantes d'INP

Note : D'autres caractéristiques peut-être disponibles sur demande

n- et INP de type p

Caractéristiques semi-conductrices d'INP

Méthode de croissance VGF
Dopant de type n : S, Sn ET non dopé ; de type p : Zn
Forme de gaufrette Rond (diamètre : 2", 3", ET 4")
Orientation extérieure (100) ±0.5°

Orientations de *Other peut-être disponibles sur demande

Dopant S et Sn (de type n) Non dopé (de type n) Zn (de type p)
Concentration en transporteur (cm-3) (0.8-8) × 1018 × 1015 (de 1-10) (0.8-8) ×1018
Mobilité (cm2/V.S.) × 103 (de 1-2.5) × 103 (de 3-5) 50-100
Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2) 100-5,000 ≤ 5000 ≤ 500
Diamètre de gaufrette (millimètres) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Épaisseur (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
CHAÎNE (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
DE (millimètres) 17±1 22±1 32.5±1
DE/SI (millimètres) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Note : D'autres caractéristiques peut-être disponibles sur demande

Traitement de gaufrette d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
Chaque lingot est coupé en gaufrettes qui sont enroulées, poli et surface préparée pour l'épitaxie. Le processus global est détaillé ci-dessous.

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
Spécifications et identification plates L'orientation est indiquée sur les gaufrettes par deux appartements (longtemps plats pour l'orientation, le petit appartement pour l'identification). Habituellement la norme d'E.J. (entre l'Europe et le Japon) est employée. La configuration plate alternative (États-Unis) est en grande partie employée pour Ø 4" des gaufrettes.
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
Orientation du boule Des gaufrettes précises (100) ou misoriented sont offertes.
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
Exactitude de l'orientation de DE En réponse aux besoins de l'industrie optoélectronique, nous gaufrettes d'offres avec l'excellente exactitude du de l'orientation : < 0="">
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
Profil de bord Il y a deux Spéc. communes : bord chimique traitant ou traitant mécanique de bord (avec une broyeur de bord).
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
Polonais Des gaufrettes sont polies au moyen d'un processus produit-mécanique ayant pour résultat une surface plate et sans dommage. nous fournit les deux (avec l'arrière enroulé et gravé à l'eau-forte) gaufrettes polies polies et du côté simple du côté double.
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
Préparation de la surface et emballage finaux Les gaufrettes passent par beaucoup d'étapes chimiques pour éliminer l'oxyde produit pendant le polissage et pour créer une surface propre avec la couche stable et uniforme d'oxyde qui est prête pour la croissance épitaxiale - la surface epiready et celle ramène des oligoéléments à extrêmement - les niveaux bas. Après inspection finale, les gaufrettes sont empaquetées d'une manière dont maintient la propreté extérieure.
Les instructions spécifiques pour le retrait d'oxyde sont disponibles pour tous les types de technologies épitaxiales (MOCVD, MBE).

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

Paquet et livraison

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

FAQ :

Q : Quel est votre MOQ et délai de livraison ?

: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 5 PCs.

(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10-30 PCs.

(3) pour les produits adaptés aux besoins du client, le délai de livraison dans 10days, taille custiomzed pour 2-3weeks

Envoyez votre message à ce fournisseur
Envoyez maintenant

2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

Demandez le dernier prix
Détails du produit
Number modèle :
InP-2INCH
Point d'origine :
LA CHINE
MOQ :
3pcs
Capacité d'approvisionnement :
1000pcs/month
délai de livraison :
3-4Weeks
Détails de empaquetage :
caisse simple de gaufrette
Fournisseur de contact
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP
2 type semi isolant gaufrette factice de pouce 50mm N de phosphure d'indium d'INP

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
Gaufrette de nitrure de gallium, Gaufrette de saphir, Sic substrat
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
Découvrez des produits similaires
Voir plus

Trouver des produits similaires par catégorie:

Page d'accueil du fournisseur Produits Gaufrette de phosphure d'indium
MachineU Produits chinois Minéraux & Métallurgie Métaux et produits métalliques Autres métaux et produits métalliques
Fournisseur de contact
Exigence de soumission