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Gaufrette de nitrure de gallium de semi-conducteur, calibre N - type de substrat de GaN - 2 pouces
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Les spécifications
Numéro de type :
GaN-2INCH 10x10mm
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5pc
Conditions de paiement :
L / C, T / T
Délai de livraison :
2-4 semaines
Détails d'emballage :
caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Matériau :
Monocristal de GaN
Méthode :
HVPE
Taille :
2inch ou 10x10mm
Epaisseur :
430um ou adapté aux besoins du client
l'industrie :
LD, mené, dispositif de laser, détecteur,
Paquet :
chantez le cassettle de gaufrette par l'emballage sous vide
Définition


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  1. III-nitrure (GaN, AlN, auberge)

La nitrure de gallium est un genre de semi-conducteurs composés de large-Gap. Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est

un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette, qui a été à l'origine développée pour 10+years en Chine. Les caractéristiques sont uniformité haut cristalline et bonne, et qualité extérieure supérieure. Des substrats de GaN sont employés pour beaucoup de genres de demandes, de LED blanche et LD (violet, bleu et vert) en outre, développement a progressé pour des applications d'appareil électronique de puissance et de haute fréquence.

Couverture interdite de largeur de bande (luminescente et absorption) l'ultraviolet, la lumière visible et l'infrarouge.
GaN peut être employé dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage à LED, La détection de grande énergie et la représentation,

  1. Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.
  2. Stockage de date
  3. Éclairage de rendement optimum
  4. Affichage polychrome de fla
  5. Laser Projecttions
  6. Appareils électroniques à haute efficacité
  7. Dispositifs à haute fréquence à micro-ondes
  8. La détection de grande énergie et imaginent
  9. Nouvelle technologie d'hydrogène de solor d'énergie
  10. Détection d'environnement et médecine biologique
  11. Bande de terahertz de source lumineuse


Caractéristiques :

Substrats libres de GaN (taille adaptée aux besoins du client)
Article GaN-FS-10 GaN-FS-15
Dimensions 10.0mm×10.5mm 14.0mm×15.0mm
Densité de défaut de Marco Un niveau 0 cm-2
Niveau de B ≤ 2 cm-2
Épaisseur Grade 300 300 µm du ± 25
Grade 350 350 µm du ± 25
Grade 400 400 µm du ± 25
Orientation ± 0.5° du C-axe (0001)
TTV (variation totale d'épaisseur) µm ≤15
ARC µm ≤20
Type de conduction de type n Semi-isolant
Résistivité (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Densité de dislocation Moins que 5x106 cm-2
Superficie utilisable > 90%
Polonais Surface avant : Ra < 0="">
Surface arrière : La terre fine
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote.

Gaufrette de nitrure de gallium de semi-conducteur, calibre N - type de substrat de GaN - 2 pouces

Article GaN-FS-N-1.5
Dimensions ± 0.5mm de Ф 25.4mm ± 0.5mm de Ф 38.1mm ± 0.5mm de Ф 40.0mm ± 0.5mm de Ф 45.0mm
Densité de défaut de Marco Un niveau ≤ 2 cm-2
Niveau de B > 2 cm-2
Épaisseur 300 µm du ± 25
Orientation ± 0.5° du C-axe (0001)
Orientation plate ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100)
8 ± 1mm 12 ± 1mm 14 ± 1mm 14 ± 1mm
Orientation secondaire plate ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20)
4 ± 1mm 6 ± 1mm 7 ± 1mm 7 ± 1mm
TTV (variation totale d'épaisseur) µm ≤15
ARC µm ≤20
Type de conduction de type n Semi-isolant
Résistivité (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Densité de dislocation Moins que 5x106 cm-2
Superficie utilisable > 90%
Polonais Surface avant : Ra < 0="">
Surface arrière : La terre fine
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote.

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Notre vision d'entreprise de Factroy
nous fournirons au substrat de haute qualité de GaN et à la technologie d'application pour l'industrie notre usine.
GaNmaterial de haute qualité est le facteur retenant pour l'application d'III-nitrures, par exemple longue durée
et LDs de forte stabilité, puissance élevée et dispositifs élevés à micro-ondes de fiabilité, intense luminosité
et rendement élevé, LED économiseuse d'énergie.

- FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le premier poids) + USD12.0/kg

Q : Quel est le délai de livraison ?
(1) pour les produits standard tels que la gaufrette de 2inch 0.33mm.
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 4 semaines de travail après ordre.

Q : Comment payer ?
100%T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, paiement sûr et assurance du commerce.

Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 5pcs-10pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques.

Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir des rapports de rapport et de portée de ROHS pour nos produits.

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GaN-2INCH 10x10mm
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5pc
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Délai de livraison :
2-4 semaines
Détails d'emballage :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
Gaufrette de nitrure de gallium, Gaufrette de saphir, Sic substrat
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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