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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre pour mené
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Les spécifications
Numéro de type :
GaN-calibres
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
5pc
Conditions de paiement :
L / C, T / T
Délai de livraison :
2-4 semaines
Détails d'emballage :
caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Matériel :
Epi de GaN sur le transporteur de saphir
Méthode :
HVPE
Taille :
2inch
Épaisseur :
430um
Industrie :
LD, mené, dispositif de laser, détecteur,
Surface :
côté simple poli
Définition

calibre de substrats de 2inch GaN, gaufrette de GaN pour LeD, gaufrette semi-conductrice de nitrure de gallium pour le LD, calibre de GaN, gaufrette de MOCVD GaN,

Caractéristiques de GaN/usages spéciaux :

  1. La nitrure de gallium (GaN) est un matériel fait très dur qui a une wurtzite la structure cristalline et est probablement le matériel de semi-conducteur le plus important comme matériel de troisième génération semi.
  2. Elle peut être employée pour émettre la lumière brillante sous forme de diodes électroluminescentes (LED) et de diodes lasers, aussi bien qu'être le matériel de base pour la haute fréquence de prochaine génération, transistors de puissance élevée capables du fonctionnement à températures élevées.
  3. GaN a basé la gaufrette épitaxiale (saphir, sic) des gaufrettes qu'épitaxiales sont développées par la méthode de MBE ou de MOCVD, une couche ou les structures multicouche sur des substrats de saphir, diamètre jusqu'à 4 pouces.

Couverture interdite de largeur de bande d'III-nitrure (GaN, AlN, auberge) (luminescente et absorption) l'ultraviolet,

la lumière visible et l'infrared.GaN peuvent être employés dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage à LED, Détection de grande énergie

et représentation, affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.

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Caractéristiques :

2" calibres de GaN

Article

GaN-T-N

GaN-T-S

Dimensions

Ф 2"

Épaisseur

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

Orientation

± 1° du C-axe (0001)

Type de conduction

de type n

Semi-isolant

Résistivité (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

Densité de dislocation

Moins que cm2 1x108

Structure de substrat


GaN épais sur le saphir 430um ou 330um (0001)

Superficie utilisable

> 90%

Polonais

Norme : Option de SSP : DSP

Paquet

Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des cassettes de 25pcs ou de conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote.
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- FAQ –
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(1) pour les produits standard tels que la gaufrette de 2inch 0.33mm.
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 3 semaines de travail après ordre.
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Années
shanghai, shanghai
Depuis 2013
Type d'entreprise :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
Gaufrette de nitrure de gallium, Gaufrette de saphir, Sic substrat
Total annuel :
1000000-1500000
Niveau de certification :
Verified Supplier
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