Les spécifications
Number modèle :
FDMS6681Z
Point d'origine :
L'Amérique
Détails de empaquetage :
Paquet original
MOQ :
discutable
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
mois 10000pcs/one
Délai de livraison :
5-30days
Type :
Transistor MOSFET
Application :
Norme
Type de fournisseur :
Fabricant original, ODM, agence, détaillant, autre
Médias disponibles :
la fiche technique, la photo, EDA/CAD modèle, autre
Marque :
Transistor MOSFET
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :
30 V
Température de fonctionnement :
-55 ℃ ℃~150
Montage du type :
Bâti extérieur
Paquet/cas :
Power-56-8, puissance 56
Vidangez à la tension de source (Vdss) :
30 V
Nombre d'éléments :
1
Nombre de goupilles :
8
Max Operating Temperature :
°C 150
Max Power Dissipation :
73 W
Min Operating Temperature :
-55 °C
Temps de montée :
38 NS
Temps de retard d'arrêt :
260 NS
Nombre de canaux :
1
Programme B :
8541290080
Définition

Transistor original de transistor MOSFET du transistor MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN de FDMS6681Z

 

Produits Description :

 

1. Transistor du SEMI-CONDUCTEUR FDMS6681Z de FAIRCHILD, transistor MOSFET, P-canal, -49A, -30V, 0.0027Ohm, -10V, -1.7V
2. Le FDMS6681Z est des transistors MOSFET de PowerTrench® de P-canal d'A-30V a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-le-état et pour maintenir la basse charge de porte pour la représentation de changement supérieure
3. niveau de protection de HBM ESD de 8kV typique

 

Paramètres technologiques :

 

résistance de Drain-source 0.0027ω
polarité P - La Manche
puissance dispersée 73 W
tension de Drain-source 30 V
temps de montée 38 NS
Puissance évaluée (maximum) 2.5W
temps de descente 197 NS
Température de fonctionnement -55℃ | 150℃ (TJ)
Numéro de borne 8
encapsulation Bande et bobine (TR)

Service à la clientèle :

1. Soutenez-vous des listes de BOM ?

Naturellement, nous avons une équipe professionnelle pour fournir BOM.

2. Montré ci-dessous. Derrière MOQ ?

Notre MOQ est flexible et peut être équipé selon vos besoins, d'un minimum de 10 morceaux.

3. Que diriez-vous du délai d'exécution ?

Après réception du dépôt, nous nous chargerons d'emballer les marchandises et d'entrer en contact avec la logistique pour la livraison. La durée est de 3-7 jours.

4. Notre avantage ?

1. Approvisionnement stable et suffisamment de

2. La fixation concurrentielle des prix

3. Une expérience riche de BOM

4. Service après-vente parfait

5. Certificat d'essai professionnel

5. Notre service ?

Méthodes de paiement : T/T, L/C, D/P, D/A, MoneyGram, carte de crédit, paypal, Western Union, argent liquide, engagement, Alipay…

6. Transport :

DHL, TNT, Fedex, SME, DEPX, air, expédition de mer

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Transistor 21.1A 49A 8PQFN de transistor MOSFET de la Manche de FDMS6681Z 30V P

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Number modèle :
FDMS6681Z
Point d'origine :
L'Amérique
Détails de empaquetage :
Paquet original
MOQ :
discutable
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
mois 10000pcs/one
Fournisseur de contact
Transistor 21.1A 49A 8PQFN de transistor MOSFET de la Manche de FDMS6681Z 30V P
Transistor 21.1A 49A 8PQFN de transistor MOSFET de la Manche de FDMS6681Z 30V P
Transistor 21.1A 49A 8PQFN de transistor MOSFET de la Manche de FDMS6681Z 30V P
Transistor 21.1A 49A 8PQFN de transistor MOSFET de la Manche de FDMS6681Z 30V P

Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2000
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission