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La Manche 20V 9A 8WDFN du transistor MOSFET P de transistor de NTTFS3A08PZTAG
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Les spécifications
Number modèle :
NTTFS3A08PZTAG
Point d'origine :
L'Amérique
Détails de empaquetage :
Paquet original
MOQ :
discutable
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
mois 10000pcs/one
Délai de livraison :
3~10 jours
Type :
Transistor MOSFET
Type de paquet :
WDFN-8
Type de fournisseur :
Fabricant original, ODM, agence, détaillant, autre
Médias disponibles :
la fiche technique, la photo, EDA/CAD modèle, autre
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :
20 V
Température de fonctionnement :
-55 ℃ ℃~150
Montage du type :
Bâti extérieur
Paquet/cas :
WDFN-8, WDFN-8
Nombre d'éléments :
1
Nombre de goupilles :
8
Max Operating Temperature :
°C 150
configuration d'élément :
simple
Min Operating Temperature :
-55 °C
Temps de montée :
56 NS
Le RDS sur maximum :
mΩ 6,7
RoHS :
Conforme
Définition

P-canal simple des transistors MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN de FETs de transistors de NTTFS3A08PZTAG

 

 

Description de produits :

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, transistor MOSFET de puissance de P-canal

2. wdfn extérieur du bâti 840mW (merci) du P-canal 20V 9A (ventres) 8 (3.3x3.3)

3. PE T/R du transistor MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN de transport

4. composants -20V, - 15A, 6.7m, puissance MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG de canal de P

 
Améliorez votre efficacité :
Assortiment sur un seul point de vente de connecteurs d'inducteurs de résistance de condensateur de transistor de diode d'IC de service de Kitting de liste des composants électroniques BOM
La recherche a une équipe professionnelle rapidement pour assortir et citer pour vous.
Condition en temps :
Temps de citation : < 1mins=""> < 3mins=""> Délai de livraison : < 24="" hrs=""> < 48="" hrs=""> < 72="" hrs=""> Temps de carte PCB : < 72="" hrs=""> < 7="" days=""> Temps de PCBA : < 5="" days=""> * les données ci-dessus s'appliquent seulement aux matériaux normaux à temps le temps d'inactivité.

 

Paramètres technologiques :

Type de FET P-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 9A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 56 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 5000 PF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum) 840mW (ventres)
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)
Nombre bas de produit NTTFS3

 

 

Image de produit :

La Manche 20V 9A 8WDFN du transistor MOSFET P de transistor de NTTFS3A08PZTAG

 

Garantie de la qualité

 

le processus de la fabrication 1.Every a une personne spéciale à examiner pour assurer la qualité

ingénieurs 2.Have professionnels pour vérifier la qualité

les produits 3.All ont passé le CE, la FCC, le ROHS et d'autres certifications

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Détails du produit
Number modèle :
NTTFS3A08PZTAG
Point d'origine :
L'Amérique
Détails de empaquetage :
Paquet original
MOQ :
discutable
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
mois 10000pcs/one
Fournisseur de contact
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2000
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Produits principaux :
Puces électroniques d'IC, Puce de mémoire d'IC, Puce d'IC de transistor
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Verified Supplier
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