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2N7002 circuits intégrés de la Manche SMD 60V 115MA du transistor MOSFET N
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Les spécifications
Number modèle :
2N7002
MOQ :
discutable
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 PCs par mois
Délai de livraison :
jours 1-7Work
Détails de empaquetage :
original
Point d'origine :
LA CHINE
Tension évaluée :
60,0 V
Courant évalué :
115 mA
Puissance évaluée :
200 mW
polarité :
N-canal
Méthode d'installation :
Bâti extérieur
Numéro de borne :
3
Paquet :
SOT-23-3
Définition

Petit transistor MOSFET N-CH 60V 115MA de transistors d'effet de champ de signal des circuits intégrés 2N7002

 

Produits Description :

 

2N7002 transistor, transistor MOSFET, N-canal, 115 mA, 60 V, 1,2 ohms, 10 V, 2,1 V

Le 2N7002 est un transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal produit utilisant la densité élevée de cellules et la technologie de DMOS. Il réduit au minimum la résistance de sur-état tandis que représentation de changement rocailleuse, fiable et rapide de fourniture. Il peut être employé dans la plupart des applications exigeant jusqu'à C.C 400mA et peut fournir les courants pulsés jusqu'à 2A. Approprié aux applications de basse tension et à faible intensité, telles que de petits conducteurs de porte de contrôle de moteur servo et de transistor MOSFET de puissance.

Conception à haute densité de cellules pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS).

Capacité élevée de courant de saturation.

Commutateur commandé de signal de tension petit.

Rocailleux et fiable

Ces transistorsare d'effet de champ de mode d'amélioration de N-canal produit utilisant Fairchild de propriété industrielle, densité élevée de cellules, technologie de DMOS. Ces produits ont été conçus tominimize le moment de résistance de sur-état fournissent la représentation de changement rocailleuse, fiable, et rapide. Ils peuvent être employés dans les mostapplications exigeant jusqu'à C.C 400mA et peuvent deliverpulsed des courants jusqu'à 2A. Ces produits particularlysuited pour la basse tension, les applications à faible intensité telles que le contrôle de moteur de smallservo, les conducteurs de porte de transistor MOSFET de puissance, et les applications otherswitching.

Paramètres technologiques :

 
Tension évaluée (C.C) 60,0 V
Courant évalué 115 mA
Puissance évaluée 200 mW
numéro de borne 3
résistance de Drain-source 1,2 Ω
Polaire N-canal
Puissance dispersée 200 mW
Tension de seuil 2,1 V
tension de Drain-source (Vds) 60 V
tension claque de Porte-source ±20.0 V

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Détails du produit
Number modèle :
2N7002
MOQ :
discutable
Conditions de paiement :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :
10000 PCs par mois
Délai de livraison :
jours 1-7Work
Détails de empaquetage :
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2N7002 circuits intégrés de la Manche SMD 60V 115MA du transistor MOSFET N
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2000
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Produits principaux :
Puces électroniques d'IC, Puce de mémoire d'IC, Puce d'IC de transistor
Nombre de salariés :
50~100
Niveau de certification :
Verified Supplier
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