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Module des véhicules à moteur d'Infineon IGBT, convertisseurs FF1200R12IE5 de module de la puissance élevée IGBT
Module des véhicules à moteur d'Infineon IGBT, convertisseurs FF1200R12IE5 de module de la puissance élevée IGBT
Les spécifications
Numéro de type :
FF1200R12IE5
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 jeu
Conditions de paiement :
T/T.
Capacité d'approvisionnement :
1000sets
Délai de livraison :
25 jours après la signature du contrat
Détails d'emballage :
Emballage de boîte en bois
VCES :
1200V
Nom d'IC :
1200A
ICRM :
2400A
Définition
Infineon Technologies Automotive IGBT Modules Convertisseurs haute puissance FF1200R12IE5 Entraînements moteur

Applications typiques
• Convertisseurs haute puissance
• Entraînements de moteur
• Systèmes UPS


Caractéristiques électriques
• Température de fonctionnement étendue T vj op
• Haute capacité de court-circuit
• Robustesse inégalée
• T vj op = 175 ° C
• Trench IGBT 5

Caractéristiques mécaniques
• Package avec CTI> 400
• Haute densité de puissance
• Haute puissance et capacité de cycle thermique
• Lignes de fuite et distances de sécurité élevées

IGBT Inverter
Valeurs nominales maximales

Tension collecteur-émetteur Tvj = 25 ° C VCES 1200 V
Courant continu de collecteur de CC TC = 80 ° C, Tvj max = 175 ° C IC nom 1200 UNE
Courant de collecteur de crête répétitif tP = 1 ms ICRM 2400 UNE
Tension de crête de l'émetteur-porte VGES +/- 20 V

Valeurs caractéristiques min. typ. max.

Tension de saturation collecteur-émetteur

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25 ° C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 ° C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175 ° C

VCE sat

1,70

2,00

2,15

2,15

2,45

2,60

VVV
Tension de seuil de porte IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 ° C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Charge de porte VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 600 V QG 5,75 μC
Résistance de porte interne Tvj = 25 ° C RGint 0,75 Ω
Capacité d'entrée f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,5 nF
Capacité de transfert inverse f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 nF
Courant de coupure collecteur-émetteur VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25 ° C ICES 5,0 mA
Courant de fuite de porte-émetteur VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25 ° C IGES 400 n / a
Temps de retard à l'enclenchement, charge inductive IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C
VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C 		td sur 0,20
0,23
0,25 		μs
μs
μs
Temps de montée, charge inductive IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C
VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C 		tr 0,16
0,17
0,18 		μs
μs
μs
Temps de retard au déclenchement, charge inductive IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C
VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C 		td off 0,48
0,52
0,55 		μs
μs
μs
Temps de chute, charge inductive IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C
VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C 		tf 0,08
0,11
0,13 		μs
μs
μs
Perte d'énergie par impulsion IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25 ° C
VGE = ± 15 V, di / dt = 6 000 A / μs (Tvj = 175 ° C) Tvj = 125 ° C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C 		Eon 80,0
120
160 		mJ
mJ
mJ
Perte d'énergie de désactivation par impulsion IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25 ° C
VGE = ± 15 V, du / dt = 2800 V / μs (Tvj = 175 ° C) Tvj = 125 ° C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175 ° C 		Eoff 130
160
180 		mJ
mJ
mJ
Données SC VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE · di / dt tP ≤ 10 μs, Tvj = 175 ° C 		ISC 4000 UNE
Résistance thermique, jonction à l'étui IGBT / par IGBT RthJC 28,7 K / kW
Résistance thermique, boîtier à dissipateur thermique IGBT / par IGBT
λ Pâte = 1W / (m · K) / λgrease = 1W / (m · K) 		RthCH 22,1 K / kW
Température dans les conditions de commutation Tvj op -40 175 ° C

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Détails du produit
Numéro de type :
FF1200R12IE5
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 jeu
Conditions de paiement :
T/T.
Capacité d'approvisionnement :
1000sets
Délai de livraison :
25 jours après la signature du contrat
Fournisseur de contact
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Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

Verified Supplier
14 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2000
Type d'entreprise :
Exporter, Trading Company, Seller
Produits principaux :
Déclencheur électrique de valve, Valve de centrale, Relais de contrôle électronique
Total annuel :
3 Million-4 Million
Niveau de certification :
Verified Supplier
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