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demi série C du lecteur de puissance du module FF200R12KT4 de pont de l'inverseur 1200V double IGBT 62mm
demi série C du lecteur de puissance du module FF200R12KT4 de pont de l'inverseur 1200V double IGBT 62mm
Les spécifications
Numéro de type :
FF200R12KT4
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 jeu
Conditions de paiement :
T/T.
Capacité d'approvisionnement :
1000sets
Délai de livraison :
25 jours après la signature du contrat
Détails d'emballage :
Emballage de boîte en bois
VCES :
1200V
Nom IC d'IC :
200 A
IC :
320A
ICRM :
400A
Définition

série C du moitié-pont 62mm 1200 V, double IGBT module d'entraînement de puissance des modules FF200R12KT4 de l'inverseur

Valeurs évaluées maximum

Tension de collecteur-émetteur Tvj = 25°C VCES 1200 V
Courant de collecteur continu de C.C Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C
Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C		 Nom d'IC
IC

200

320

A

A
Courant de collecteur maximal répétitif tP = 1 Mme ICRM 400 A
Dissipation de puissance totale

Comité technique = 25°C,

Tvj maximum = 175°C

 Ptot 1100 W
tension de crête de Porte-émetteur VGES +/--20 V

Valeurs caractéristiques

Tension de saturation de collecteur-émetteur

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C

 VCE reposé 1,75
2,05
2,10		 2,15 V
VV
Tension de seuil de porte IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Charge de porte VGE = -15 V… +15 V QG 1,80 µC
Résistance interne de porte Tvj = 25°C RGint 3,8 Ω
Capacité d'entrée f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 N-F
Capacité inverse de transfert f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 N-F
Courant de coupure de collecteur-émetteur VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C GLACE 5,0 mA
courant de fuite de Porte-émetteur VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
Temps de retard d'ouverture, charge inductive IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 le TD dessus 0,16 0,17
0,18		 µs
µs
µs
Temps de montée, charge inductive IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 TR 0 045 0,04
0,50		 µs
µs
µs
Temps de retard d'arrêt, charge inductive IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 le TD 0,45 0,52
0,54		 µs
µs
µs
Temps de chute, charge inductive IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 tf 0,10 0,16
0,16		 µs
µs
µs
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 Éon 10,0
15,0
17,0		 19,0
30,0
36,0
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 Eoff 14,0
20,0
23,0		 MJ
MJ
MJ
Données de Sc ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C		 ISC 800 MJ
MJ
MJ
Résistance thermique, jonction au cas IGBT/par IGBT RthJC 0 135 K/W
Résistance thermique, radiateur de caseto CHAQUE IGBT/par IGBT
λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K)		 RthCH 0 034 K/W
La température dans des conditions de commutation Tvj op -40 150

°C

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Numéro de type :
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Point d'origine :
La Chine
MOQ :
1 jeu
Conditions de paiement :
T/T.
Capacité d'approvisionnement :
1000sets
Délai de livraison :
25 jours après la signature du contrat
Fournisseur de contact
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Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

Verified Supplier
14 Années
guangdong, shenzhen
Depuis 2000
Type d'entreprise :
Exporter, Trading Company, Seller
Produits principaux :
Déclencheur électrique de valve, Valve de centrale, Relais de contrôle électronique
Total annuel :
3 Million-4 Million
Niveau de certification :
Verified Supplier
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