Les spécifications
Category :
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
3.9V @ 680µA
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
85 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450mOhm @ 7.1A, 10V
FET Type :
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Package :
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800 V
Vgs (Max) :
±20V
Product Status :
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1600 pF @ 100 V
Mounting Type :
Through Hole
Series :
CoolMOS™
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Mfr :
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
11A (Tc)
Power Dissipation (Max) :
156W (Tc)
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number :
SPP11N80
Description :
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Définition
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SPP11N80C3XKSA1

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Category :
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
3.9V @ 680µA
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
85 nC @ 10 V
Fournisseur de contact
SPP11N80C3XKSA1

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
3 Années
Depuis 2009
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Nombre de salariés :
600~800
Niveau de certification :
Verified Supplier
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