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RQ3E070BNTB
RQ3E070BNTB
Les spécifications
Category :
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
27mOhm @ 7A, 10V
FET Type :
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Package :
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30 V
Vgs (Max) :
±20V
Product Status :
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
410 pF @ 15 V
Mounting Type :
Surface Mount
Series :
-
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Mfr :
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
7A (Ta)
Power Dissipation (Max) :
2W (Ta)
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number :
RQ3E070
Description :
MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Définition
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RQ3E070BNTB

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Détails du produit
Category :
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.9 nC @ 10 V
Fournisseur de contact
RQ3E070BNTB

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
3 Années
Depuis 2009
Type d'entreprise :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produits principaux :
But spécial audio, Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé, DSP (processeurs de signaux numériques)
Nombre de salariés :
600~800
Niveau de certification :
Verified Supplier
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