Les spécifications
Numéro de modèle :
JY4N8M
Point d'origine :
La Chine
MOQ :
50pcs (échantillon disponible)
Conditions de paiement :
T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :
30000 pièces par mois
Délai de livraison :
dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre
Détails de empaquetage :
suite pour l'exportation
Nom :
Transistor MOSFET de puissance
Modèle N°. :
JY4N8M
Taper :
Canal de N
Tension de Drain-source :
40 V
Tension de Porte-source :
± 20 V
Courant continu de drain :
80A (Tc=25°C)
Courant pulsé de drain :
350A
Dissipation de puissance maximale :
80W
récupération inverse du corps :
- Oui, oui.
Définition

Description générale:

 

Caractéristiques:

 

Le JY4N8M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.

 

Applications:

 

● 40V/80A, RDS ((ON) ≤6,5mΩ@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

 

Description du code PIN:

 

40V/80A TO-252 N Mode d'amélioration du canal MOSFET JY4N8M

 

Les valeurs maximales absolues ((Tc=25°C, sauf indication contraire)

 

Le symbole Paramètre Limite Unité
VRésultats de l'enquête Voltage de la source de vidange 40 V
VGS Voltage de la porte de sortie ± 20 V
Je suis...D Courant de drainage continu Tc = 25°C 80 Une
Tc = 100°C 55
Je suis...Le DM Courant de drainage pulsé 350 Une
PD Dissipation de puissance maximale 80 W
TJeTGST Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage -55 à +175 °C
RThJC Résistance thermique - jonction avec le boîtier 1.88 °C/W
RLes résultats Résistance thermique - jonction avec l'environnement 92

 

Compte rendu de l' ensemble:

 

40V/80A TO-252 N Mode d'amélioration du canal MOSFET JY4N8M

Le symbole Dimensions en millimètres Dimensions en pouces
Je ne sais pas. - Je vous en prie. Je ne sais pas. - Je vous en prie.
Une 2.200 2.400 0.087 0.094
A1 0.000 0.127 0.000 0.005
b 0.660 0.860 0.026 0.034
c 0.460 0.580 0.018 0.023
D 6.500 6.700 0.256 0.264
D1 5.100 5.460 0.201 0.215
D2 0Un.483 type. 0.190 type.
E 6.000 6.2000 0.236 0.244
e 2.186 2.386 0.086 0.094
L 9.800 10.400 0.386 0.409
L1 2.900 TYP 0.114 type.
L2 1.400 1.700 0.055 0.067
L3 1.600 TYP 0.063 type.
L4 0.600 1.000 0.024 0.039
ø 1.100 1.300 0.043 0.051
Le
h 0.000 0.300 0.000 0.012
v 5Un.350 TYP. 0.211 type.


Pour plus d'informations sur les produits, veuillez nous contacter directement par e-mail: ivanzhu@junqitrading.com

 

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40V/80A TO-252 N Mode d'amélioration du canal MOSFET JY4N8M

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5 Années
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Depuis 2020
Type d'entreprise :
Manufacturer, Exporter, Trading Company
Total annuel :
100-300
Nombre de salariés :
>100
Niveau de certification :
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