Les spécifications
Numéro de modèle :
JY09M
Point d'origine :
La Chine
Quantité minimale de commande :
100 pièces (échantillon disponible)
Conditions de paiement :
T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :
1000 pièces par jour
Délai de livraison :
dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre
Détails de empaquetage :
suite pour l'exportation
Nom :
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N
Tension de Drain-source :
70V
Courant continu de drain :
90A (Tc=25°C)
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage :
-55°C à +175°C
Définition

 

Définition générale

Le JY09M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.

 

Caractéristiques:

 

● 70V/90A, RDS ((ON) ≤ 6,8mΩ@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

 

Applications:

 

● Application de commutation électrique
● Circuits à haute fréquence et à commutation dure
● Une alimentation électrique ininterrompue

 

Description du code PIN:

JY09M MOSFET de puissance de 70 V 90 A pour le renforcement du canal MOS IC TO-220

 

Rating maximal absolu ((Tc=25°C, sauf indication contraire):

 

Le symbole Paramètre Limite Unité
VRésultats de l'enquête Voltage de la source de vidange 70 V
VGS Voltage de la porte de sortie ± 20 V
Je suis...D Courant de drainage continu TC = 25°C 90 Une
TC = 100°C 65
Je suis...Le DM Courant de drainage pulsé 315 Une
PD Dissipation de puissance maximale 162 W
TJeTGST Plage de température de la jonction de fonctionnement et de stockage -55 à +175 °C
RThJC Résistance thermique - jonction avec le boîtier 0.85 °C/W
RThJC Résistance thermique - jonction avec l'environnement 62.5 °C/W

 

JY09M MOSFET de puissance de 70 V 90 A pour le renforcement du canal MOS IC TO-220JY09M MOSFET de puissance de 70 V 90 A pour le renforcement du canal MOS IC TO-220

 

TO220-3 Conception de l'ensemble

JY09M MOSFET de puissance de 70 V 90 A pour le renforcement du canal MOS IC TO-220

 

Le symbole MM Le nombre d'étoiles Le symbole MM Le nombre d'étoiles
Résultats Nom Maximum Résultats Nom Maximum Résultats Nom Maximum Résultats Nom Maximum
Une 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 e 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 e1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 250 REF. Je vous en prie. 0.098 REF. Je vous en prie.
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q. Je vous en prie. 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1
E1 - 8.70 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.394 0.401              
 
 
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JY09M MOSFET de puissance de 70 V 90 A pour le renforcement du canal MOS IC TO-220

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5 Années
jiangsu, changzhou
Depuis 2020
Type d'entreprise :
Manufacturer, Exporter, Trading Company
Total annuel :
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Nombre de salariés :
>100
Niveau de certification :
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