IRF1404PBF MOSFET N-Channel 40V 162A avec RDS(on) ultra-faible de 1,7 mΩ Boîtier TO-220 Testé à 100 % en avalanche Commutation rapide Haute densité de puissance et fiabilité de qualité industrielle
Caractéristiques
Technologie de processus avancée
Très faible résistance à l'état passant
Taux dv/dt dynamique
Température de fonctionnement de 175°C
Commutation rapide
Entièrement évalué en avalanche
Sans plomb
Description
Les MOSFET de puissance HEXFET® de septième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des MOSFET de puissance HEXFET, bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu'à environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier du TO-220 contribuent à sa large acceptation dans toute l'industrie.
Applications
Commutation de puissance à courant élevé
Convertisseurs CC-CC haute puissance
Modules de gestion de l'alimentation
Alimentations à découpage de qualité industrielle
Systèmes d'entraînement de moteurs
Contrôle du moteur d'outils électriques
Entraînements de démarreur de moteur automobile
Servocommandes industrielles
Systèmes de conversion d'énergie
Étages de puissance d'onduleur solaire
Alimentations sans interruption (ASI)
Systèmes de gestion de batterie (BMS)
Applications de transport
Groupes motopropulseurs de véhicules électriques
Entraînements électriques de chariots élévateurs
Alimentation auxiliaire du transport ferroviaire
Applications industrielles spéciales
Alimentations d'équipement de soudage
Générateurs d'impulsions à courant élevé
Dispositifs d'entraînement électromagnétiques
INFORMATION
Catégorie
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Mfr
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Série
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Emballage
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Tube
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Statut de la pièce
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Non destiné aux nouvelles conceptions
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Type de FET
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Technologie
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Tension drain-source (Vdss)
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40 V
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Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
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Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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4mOhm @ 121A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
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196 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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5669 pF @ 25 V
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Fonctionnalité FET
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-
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Dissipation de puissance (Max)
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333W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Grade
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-
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Qualification
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-
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Type de montage
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Trou traversant
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Boîtier du dispositif fournisseur
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TO-220AB
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Boîtier / Boîtier
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Numéro de produit de base
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Dessin
Notre avantage :
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