S25FL128SAGMFIR01 128Mb SPI NOR Flash 104MHz Horloge 100K Cycles d'effacement Rétention des données de 20 ans 2.7-3.6V SOIC-16 -40°C à +85°C

Caractéristiques

• Noyau CMOS 3.0V avec E/S polyvalentes

• Interface périphérique série (SPI) avec multi-E/S

- Polarité et modes de phase d'horloge SPI 0 et 3

- Option DDR

- Adressage étendu : options d'adresse 24 ou 32 bits

- Jeu de commandes série et empreinte compatible avec les familles SPI S25FL-A, S25FL-K et S25FL-P

- Jeu de commandes multi-E/S et empreinte compatible avec la famille SPI S25FL-P

• Commandes de lecture

- Normal, Rapide, Double, Quad, DDR rapide, DDR double, DDR quad

- AutoBoot – Mise sous tension ou réinitialisation et exécution automatique d'une commande de lecture normale ou quad à une adresse présélectionnée

- Données d'interface Flash commune (CFI) pour les informations de configuration

• Programmation (1,5 Mo/s)

- Options de mémoire tampon de programmation de page de 256 ou 512 octets

- Programmation de page à quatre entrées (QPP) pour les systèmes à horloge lente

- Génération automatique de code de correction d'erreur (ECC) interne au matériel avec correction d'erreur à un seul bit

• Effacement (0,5 à 0,65 Mo/s)

- Option de taille de secteur hybride – Ensemble physique de trente-deux secteurs de 4 Ko en haut ou en bas de l'espace d'adressage avec tous les secteurs restants de 64 Ko, pour la compatibilité avec les appareils S25FL de génération précédente

- Option de secteur uniforme – efface toujours les blocs de 256 Ko pour la compatibilité logicielle avec les appareils de densité supérieure et futurs

• Endurance au cyclage

- 100 000 cycles de programmation-effacement, minimum

• Rétention des données

- Rétention des données de 20 ans, minimum

• Fonctions de sécurité

- Tableau programmable une fois (OTP) de 1024 octets

- Protection des blocs

• Bits du registre d'état pour contrôler la protection contre la programmation ou l'effacement d'une plage contiguë de secteurs

• Options de contrôle matériel et logiciel

- Protection de secteur avancée (ASP)

• Protection de secteur individuelle contrôlée par le code de démarrage ou le mot de passe

• Technologie MIRRORBIT™ de 65 nm avec architecture Eclipse

• Tension d'alimentation du cœur : 2,7 V à 3,6 V

• Tension d'alimentation E/S : 1,65 V à 3,6 V

- Boîtiers SO16 et FBGA

• Plage de températures/qualité :

- Industriel (-40 °C à +85 °C)

- Industriel Plus (-40 °C à +105 °C)

- Qualité automobile AEC-Q100 grade 3 (-40 °C à +85 °C)

- Qualité automobile AEC-Q100 grade 2 (-40 °C à +105 °C)

- Qualité automobile AEC-Q100 grade 1 (-40 °C à +125 °C)

• Boîtiers (tous sans plomb)

- SOIC à 16 broches (10,30 × 7,50 × 2,65 mm) (300 mil)

- DFN à 8 broches (6,0 × 8,0 × 0,8 mm) (WSON)

- FBGA à 24 billes (8,0 × 6,0 × 1,2 mm)

• Options d'empreinte de billes 5 × 5 (FAB024) et 4 × 6 (FAC024)

• Puce bonne connue (KGD) et puce testée connue

Description générale

Les appareils Infineon S25FL128S et S25FL256S sont des produits de mémoire non volatile flash utilisant :

• Technologie MIRRORBIT™ – qui stocke deux bits de données dans chaque transistor de matrice mémoire

• Architecture Eclipse – qui améliore considérablement les performances de programmation et d'effacement

• Lithographie de processus de 65 nm

Cette famille d'appareils se connecte à un système hôte via un SPI. L'entrée et la sortie série à un seul bit SPI traditionnel (E/S unique ou SIO) sont prises en charge, ainsi que les commandes série à deux bits (E/S double ou DIO) et à quatre bits (E/S quad ou QIO). Cette interface à largeur multiple est appelée SPI Multi-I/O ou MIO. De plus, la famille FL-S ajoute la prise en charge des commandes de lecture DDR pour SIO, DIO et QIO qui transfèrent l'adresse et lisent les données sur les deux fronts de l'horloge.

L'architecture Eclipse comprend une mémoire tampon de programmation de page qui permet de programmer jusqu'à 128 mots (256 octets) ou 256 mots (512 octets) en une seule opération, ce qui se traduit par une programmation et un effacement efficaces plus rapides que les algorithmes de programmation ou d'effacement SPI de génération précédente.

L'exécution de code directement à partir de la mémoire flash est souvent appelée eXecute-in-Place ou XIP. En utilisant les appareils FL-S aux fréquences d'horloge supérieures prises en charge, avec les commandes QIO ou DDR-QIO, le débit de transfert de lecture d'instructions peut correspondre ou dépasser les mémoires flash NOR asynchrones, à interface parallèle traditionnelle, tout en réduisant considérablement le nombre de signaux.

Les produits S25FL128S et S25FL256S offrent des densités élevées associées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une variété d'applications embarquées. Ils sont idéaux pour l'ombrage de code, XIP et le stockage de données.

INFORMATIONS

Dessin

Notre avantage :

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Liste de produits
Fournir une série de composants électroniques, une gamme complète de semi-conducteurs, de composants actifs et passifs. Nous pouvons vous aider à obtenir tout pour la nomenclature du PCB, en un mot, vous pouvez obtenir une solution unique ici,


Les offres incluent :
Circuit intégré, CI de mémoire, Diode, Transistor, Condensateur, Résistance, Varistance, Fusible, Potentiomètre et potentiomètre, Transformateur, Batterie, Câble, Relais, Interrupteur, Connecteur, Bornier, Cristal et oscillateur, Inducteur, Capteur, Transformateur, Driver IGBT, LED, LCD, Convertisseur, PCB (circuit imprimé), PCBA (assemblage de PCB)

Fort en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.