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IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS™ 360mΩ RDS(on) 11A Courant Faibles pertes de commutation Ultra-basse Efficacité élevée Protection ESD robuste Boîtier TO-220 pour SMPS et applications industrielles
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Les spécifications
Définition

IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOSTM 360mΩ RDS ((on) 11A Perte de commutation de courant ultra-faible Haute efficacité Protection ESD robuste TO-220 Package pour les applications SMPS et industrielles

 

Caractéristiques

• Convient pour les commutations dures et douces (PFC et LLC) en raison de sa résistance à la commutation

•réduction significative des pertes de commutation et de conduction

•Excellente robustesse > 2kV (HBM) pour tous les produits

•Mieux RDS (sur) /produits d'emballage par rapport à la concurrence permis par un RDS (sur) *A (inférieur à 1 Ohm*mm2) bas

 

Les avantages

•Utilisation facile et conception rapide - en réduisant la tendance à l'usure à travers les phases PFC et PWM

•Gestion thermique simplifiée des pertes de commutation et de conduction

•Des solutions à plus grande densité de puissance rendues possibles par l'utilisation de produits avec une empreinte plus faible et une qualité de fabrication supérieure pour une protection > 2 kVESD •Appropriées à une grande variété d'applications et de gammes de puissance

 

Applications éventuelles

Les étapes PFC, les étapes PWM et les étapes de commutation de résonance, par exemple PCSilverbox, Adapter, LCD et PDPTV, Lighting, Server, Telecom et UPS.

 

Validation du produit

Qualifié selon la norme JEDEC

 

MOSFET

Appareil d'alimentation CoolMOSa P7 de 600 V

La plateforme CoolMOSTM de 7ème génération est une technologie révolutionnaire pour les MOSFET haute tension,conçue selon le principe de la superjonction (SJ) et lancée par Infineon Technologies.La série 600V CoolMOSTMP7 est le successeur de la série CoolMOSTMP6Il combine les avantages d'une commutation rapide du SJMOSFET avec une excellente facilité d'utilisation, par exemple une très faible tendance à l'enroulement, une robustesse exceptionnelle des diodes de corps contre la commutation difficile et une excellente capacité ESD.Des pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles rendent la commutation des applications encore plus efficace.Plus compact et beaucoup plus frais.

 

Les informations sont fournies à la Commission.

Catégorie
 
Mfr
Infineon Technologies
 
Série
Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
 
Emballage
Tuyaux
 
Statut de la partie
Actif
 
Type de FET
N-canal
 
Technologie
MOSFET (oxyde de métal)
 
Voltage d'évacuation à la source (Vdss)
600 V ou plus
 
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C
9A (Tc)
 
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé)
10 V
 
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 2,7 A, 10 V
 
Vgs(th) (maximum) @ Id
4V @ 140μA
 
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
 
Vgs (maximum)
± 20 V
 
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds
555 pF @ 400 V
 
Caractéristique FET
-
 
Dissipation de puissance (max)
22 W (Tc)
 
Température de fonctionnement
-40°C à 150°C (TJ)
 
Grade
-
 
Qualification
-
 
Type de montage
À travers le trou
 
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
Le nombre de personnes concernées par les mesures de sécurité
 
Emballage / boîtier
TO-220-3 Boîte complète
 
Numéro du produit de base
Le nombre d'unités

 

Le dessin

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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Verified Supplier
10 Années
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Fabricant
Produits principaux :
Module 4G 5G, Module de communication sans fil, Module de récepteur GPS
Total annuel :
>10000000
Nombre de salariés :
>20
Niveau de certification :
Verified Supplier
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