CSD18563Q5A MOSFET 60V 1,7mΩ RDS(on) 300A Courant Commutation Rapide Qualifié AEC-Q101 Performances Thermiques Supérieures Boîtier D2PAK-7 pour Automobile & Alimentation
Caractéristiques
• Qg et Qgd ultra-faibles
• Diode de corps souple pour une réduction des oscillations
• Faible résistance thermique
• Évalué en avalanche
• Niveau logique
• Placage de bornes sans plomb
• Conforme RoHS
• Sans halogène
• Boîtier plastique SON 5mm×6mm
Applications
FET côté bas pour convertisseur Buck industriel
Redresseur synchrone côté secondaire
Contrôle moteur
Description
Ce MOSFET de puissance NexFET™ 5,7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm a été conçu pour être associé au FET de contrôle CSD18537NQ5A et agir comme FET synchrone pour une solution complète de chipset de convertisseur Buck industriel.
INFORMATIONS
Catégorie
|
|
|
Mfr
|
|
|
Série
|
|
|
Emballage
|
Ruban et bobine (TR)
Coupe de ruban (CT)
Digi-Reel®
|
|
Statut de la pièce
|
Active
|
|
Type de FET
|
|
|
Technologie
|
|
|
Tension drain-source (Vdss)
|
60 V
|
|
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
|
|
|
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
|
4,5V, 10V
|
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
6,8mOhm @ 18A, 10V
|
|
Vgs(th) (Max) @ Id
|
2,4V @ 250µA
|
|
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
|
20 nC @ 10 V
|
|
Vgs (Max)
|
±20V
|
|
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
|
1500 pF @ 30 V
|
|
Caractéristique FET
|
-
|
|
Dissipation de puissance (Max)
|
3,2W (Ta), 116W (Tc)
|
|
Température de fonctionnement
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
Grade
|
-
|
|
Qualification
|
-
|
|
Type de montage
|
Montage en surface
|
|
Boîtier du dispositif du fournisseur
|
8-VSONP (5x6)
|
|
Boîtier / Boîtier
|
|
|
Numéro de produit de base
|
Dessin
1. 10 ans d'expérience en composants ; Service unique pour la liste BOM ; Service PCB&PCBA.
2. Produire une antenne de communication, un câble coaxial RF, un connecteur RF, des bornes.
3. Distribuer les modules GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.
Nos produits de haute qualité, nos prix compétitifs et notre service professionnel,