Les spécifications
Numéro de modèle :
IR2110STRPBF
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimale de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T, Western Union,
Capacité à fournir :
1000 pièces par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après réception du paiement
Détails de l'emballage :
Emballé dans le plateau d'origine, puis en carton, enfin en sac à bulles pour l'emballage extérieur
Fonction :
Pas en avant, pas en arrière
Configuration de sortie :
Positif ou négatif
Topologie :
Buck, Boost
Type de sortie :
Réglable
Nombre de sorties :
1
Définition

IR2110STRPBF 600V/1200V Driver MOSFET 2A Crête Rapide 100ns Commutation UVLO CMOS/LSTTL Entrées SOIC-16 Idéal pour entraînements de moteurs et onduleurs

Caractéristiques

• Canal flottant conçu pour un fonctionnement en bootstrap Entièrement opérationnel jusqu'à +500V ou +600V Tolérant aux tensions transitoires négatives dV/dt immunisé

• Plage d'alimentation de commande de grille de 10 à 20V

• Verrouillage de sous-tension pour les deux canaux

• Compatible logique 3,3V Plage d'alimentation logique séparée de 3,3V à 20V Décalage de masse logique et de puissance ±5V

• Entrées CMOS à déclenchement Schmitt avec résistance de rappel

• Logique d'arrêt déclenchée par les fronts, cycle par cycle

• Délai de propagation adapté pour les deux canaux

• Sorties en phase avec les entrées

Description

Les IR2110/IR2113 sont des drivers MOSFET et IGBT haute tension et haute vitesse avec des canaux de sortie référencés côté haut et côté bas indépendants. Les technologies CMOS propriétaires HVIC et immunisées contre les verrous permettent une construction monolithique robuste. Les entrées logiques sont compatibles avec les sorties CMOS ou LSTTL standard, jusqu'à une logique de 3,3V. Les drivers de sortie comportent un étage tampon à courant d'impulsion élevé conçu pour une conduction croisée minimale du driver. Les délais de propagation sont adaptés pour simplifier l'utilisation dans les applications haute fréquence. Le canal flottant peut être utilisé pour piloter un MOSFET de puissance ou un IGBT à canal N dans la configuration côté haut qui fonctionne jusqu'à 500 ou 600 volts.

INFORMATIONS

Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
-
Emballage
Ruban et bobine (TR)
Coupe de ruban (CT)
Digi-Reel®
Statut de la pièce
Actif
Programmable DigiKey
Non vérifié
Configuration pilotée
Demi-pont
Type de canal
Indépendant
Nombre de drivers
2
Type de grille
IGBT, MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation
3,3V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
6V, 9,5V
Courant - Sortie crête (Source, Évier)
2A, 2A
Type d'entrée
Non-inverseur
Tension côté haut - Max (Bootstrap)
500 V
Temps de montée / descente (Typ)
25ns, 17ns
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier / Boîtier
16-SOIC (0.295", Largeur 7.50mm)
Boîtier du dispositif fournisseur
16-SOIC
Numéro de produit de base

Dessin

IR2110STRPBF - Driver MOSFET 600V/1200V, 2A crête, rapide, commutation 100ns, UVLO, entrées CMOS/LSTTL, SOIC-16, idéal pour entraînements de moteurs et onduleurs

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IR2110STRPBF - Driver MOSFET 600V/1200V, 2A crête, rapide, commutation 100ns, UVLO, entrées CMOS/LSTTL, SOIC-16, idéal pour entraînements de moteurs et onduleurs

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