Les spécifications
Numéro de modèle :
IRF4905PBF
Lieu d'origine :
Chine
Quantité minimum de commande :
1
Conditions de paiement :
T/T, Western Union,
Capacité d'approvisionnement :
1000 pièces par mois
Délai de livraison :
3-5 jours ouvrables après réception du paiement
Détails de l'emballage :
Emballé dans le plateau d'origine, puis en carton, enfin en sac à bulles pour l'emballage extérieur
Fonction :
Pas en avant, pas en arrière
Configuration de sortie :
Positif ou négatif
Topologie :
Mâle, poussée
Type de sortie :
Réglable
Nombre de sorties :
1
Définition

IRF4905PBF

CARACTÉRISTIQUES

Technologie de traitement avancée

Ultra faible résistance à l'état passant

Indice dv/dt dynamique

Température de fonctionnement de 175°C

Commutation rapide

Canal P

Entièrement évalué en avalanche

Sans plomb

Description

Les HEXFETs de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des dispositifs qui ont fait la renommée des MOSFET de puissance HEXFET, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.

Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu'à environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier TO 220 contribuent à sa large acceptation dans l'industrie.

Informations

Catégorie
Fabricant
Série
Emballage
Tube
Statut de la pièce
Active
Type de FET
Technologie
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C
Tension de commande (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 25 V
Caractéristique FET
-
Dissipation de puissance (Max)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier du dispositif fournisseur
TO-220AB
Boîtier / Boîtier
Numéro de produit de base

Dessin

IRF4905PBF - MOSFET canal P -55V 74A Courant 0.02Ω Rds(on) TO-220AB 175°C Avalanche Max. évalué

Notre avantage :

  • Produits de haute qualité --- nos offres sont 100% neuves et originales, ROHS
  • Prix compétitif --- bons canaux d'achat avec un bon prix.
  • Service professionnel --- tests de qualité stricts avant l'expédition et service après-vente parfait après l'achat.
  • Inventaire adéquat --- Avec le soutien de notre solide équipe d'achat,
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Liste de produits
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Circuit intégré, circuits intégrés de mémoire, diode, transistor, condensateur, résistance, varistance, fusible, trimmer et potentiomètre, transformateur, batterie, câble, relais, interrupteur, connecteur, bornier, cristal et oscillateur, inducteur, capteur, transformateur, pilote IGBT, LED, LCD, convertisseur, PCB (carte de circuit imprimé), PCBA (assemblage de PCB)

Forte en marque :
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

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IRF4905PBF - MOSFET canal P -55V 74A Courant 0.02Ω Rds(on) TO-220AB 175°C Avalanche Max. évalué

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TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Verified Supplier
10 Années
Depuis 2006
Type d'entreprise :
Fabricant
Total annuel :
>10000000
Nombre de salariés :
>20
Niveau de certification :
Verified Supplier
Fournisseur de contact
Exigence de soumission